存储装置及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580010052.6

申请日：

2005-03-31

公开(公告)号：

CN100538895C

公开(公告)日：

2007-03-28

发明(设计)人：

M·P·雷纳维卡 G·H·奥斯卡斯多蒂尔

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G11C1302

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

段晓玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2019-03-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 13/02 申请日:20050331 授权公告日:20090909 终止日期:20180331
2009-09-09	授权	授权
2007-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

动态存储装置及其制备方法 [P].

戴瑾 ;

尹晓明 .

中国专利 :CN116234297B ,2024-07-23

[2]

存储装置及其制备方法 [P].

李军辉 .

中国专利 :CN119486123A ,2025-02-18

[3]

存储装置及其制备方法 [P].

李军辉 .

中国专利 :CN119486123B ,2025-11-11

[4]

电阻式存储装置以及其制作方法 [P].

刘宇恒 ;

符云飞 ;

黄志坚 ;

黄国良 ;

谈文毅 .

中国专利 :CN113611722A ,2021-11-05

[5]

磁存储装置 [P].

桥本进 ;

门昌辉 ;

M·A·坎萨 ;

梅津信之 ;

近藤刚 ;

大寺泰章 ;

中村志保 .

中国专利 :CN111725391A ,2020-09-29

[6]

存储元件、存储装置以及存储装置操作方法 [P].

大场和博 ;

保田周一郎 ;

水口彻也 ;

荒谷胜久 ;

紫牟田雅之 ;

河内山彰 ;

小笠原茧美 .

中国专利 :CN102194512B ,2011-09-21

[7]

存储装置及其制造方法 [P].

大塚涉 .

中国专利 :CN102290528A ,2011-12-21

[8]

存储装置 [P].

山中贵哉 .

中国专利 :CN109473443A ,2019-03-15

[9]

半导体存储装置及其形成方法 [P].

张峰溢 ;

李甫哲 .

中国专利 :CN110544697B ,2019-12-06

[10]

一种基于磁性合金复合薄膜的存储单元及其制备方法和磁存储装置 [P].

关夏威 ;

刘苏皓 ;

黄婷 ;

徐荣刚 ;

刘祖齐 ;

赵俊峰 .

中国专利 :CN105633276A ,2016-06-01

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