存储装置及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410687657.3

申请日：

2024-05-29

公开(公告)号：

CN119486123B

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

李军辉

申请人：

深圳市昇维旭技术有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

G11C11/402 G11C11/4093 G11C11/4094 G11C11/4096

代理机构：

深圳市联鼎知识产权代理有限公司 44232

代理人：

刘抗美

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	授权	授权
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20240529
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

存储装置及其制备方法 [P].

李军辉 .

中国专利 :CN119486123A ,2025-02-18

[2]

存储装置及其制备方法 [P].

M·P·雷纳维卡 ;

G·H·奥斯卡斯多蒂尔 .

中国专利 :CN100538895C ,2007-03-28

[3]

NAND闪存存储装置及其制备方法 [P].

金汉洙 ;

高伟 ;

申女 .

中国专利 :CN120857500A ,2025-10-28

[4]

存储装置及存储装置的制造方法 [P].

岡嶋睦 ;

稻场恒夫 ;

间下浩充 .

中国专利 :CN114503250A ,2022-05-13

[5]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

大泽隆 .

中国专利 :CN1354523A ,2002-06-19

[6]

存储装置、半导体器件及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN112670242B ,2024-09-17

[7]

存储装置、半导体器件及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN112670242A ,2021-04-16

[8]

存储装置及其运行方法 [P].

姜宇现 ;

李晋永 ;

金志守 ;

文相权 ;

吴玄教 ;

林东厚 ;

郑珍久 .

韩国专利 :CN119512443A ,2025-02-25

[9]

存储装置及其制造方法 [P].

有田浩二 ;

三河巧 .

中国专利 :CN102656689B ,2012-09-05

[10]

存储装置及其操作方法 [P].

金玟昱 ;

姜淳荣 ;

鲁官宇 ;

申东旻 .

韩国专利 :CN119274621A ,2025-01-07

← 1 2 3 4 5 →