接触元件,具有接触元件的功率半导体模块和用于制造接触元件的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911042178.1
申请日
2019-10-30
公开(公告)号
CN111128752A
公开(公告)日
2020-05-08
发明(设计)人
J·埃施
申请人
申请人地址
德国瑙伊比贝尔格市
IPC主分类号
H01L2148
IPC分类号
H01L2348 H01L2507
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
郭毅
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
接触元件,具有接触元件的功率半导体模块和用于制造接触元件的方法 [P]. 
J·埃施 .
德国专利 :CN111128752B ,2024-11-01
[2]
压入式接触元件和具有该接触元件的功率半导体模块 [P]. 
亚历山大·魏纳 .
中国专利 :CN114334878A ,2022-04-12
[3]
压配合接触元件和具有压配合接触元件的功率半导体模块 [P]. 
I·伯根 ;
A·韦纳 .
中国专利 :CN113571487A ,2021-10-29
[4]
功率半导体接触元件 [P]. 
杜高峰 ;
邱丽丽 .
中国专利 :CN307463867S ,2022-07-22
[5]
功率半导体接触元件 [P]. 
杜高峰 ;
赵军 .
中国专利 :CN305172501S ,2019-05-21
[6]
接触元件、功率半导体模块及其制造方法 [P]. 
M·格克齐 ;
A·M·维戈 .
中国专利 :CN104966710A ,2015-10-07
[7]
用于功率半导体模块的外部接触元件和功率半导体模块 [P]. 
A·乌勒曼 ;
C·科赫 .
中国专利 :CN115000038A ,2022-09-02
[8]
接触元件、功率半导体模块和具有该模块的电路装置 [P]. 
T·斯托尔泽 .
中国专利 :CN101546741A ,2009-09-30
[9]
功率半导体接触元件(007) [P]. 
韩波 .
中国专利 :CN307018642S ,2021-12-21
[10]
功率半导体接触元件(009) [P]. 
韩波 .
中国专利 :CN306972400S ,2021-11-30