压入式接触元件和具有该接触元件的功率半导体模块

被引:0
申请号
CN202111151952.X
申请日
2021-09-29
公开(公告)号
CN114334878A
公开(公告)日
2022-04-12
发明(设计)人
亚历山大·魏纳
申请人
申请人地址
德国纽伦堡
IPC主分类号
H01L2348
IPC分类号
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
蔡石蒙;黄刚
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
压配合接触元件和具有压配合接触元件的功率半导体模块 [P]. 
I·伯根 ;
A·韦纳 .
中国专利 :CN113571487A ,2021-10-29
[2]
接触元件,具有接触元件的功率半导体模块和用于制造接触元件的方法 [P]. 
J·埃施 .
德国专利 :CN111128752B ,2024-11-01
[3]
接触元件,具有接触元件的功率半导体模块和用于制造接触元件的方法 [P]. 
J·埃施 .
中国专利 :CN111128752A ,2020-05-08
[4]
接触元件、功率半导体模块和具有该模块的电路装置 [P]. 
T·斯托尔泽 .
中国专利 :CN101546741A ,2009-09-30
[5]
功率半导体接触元件 [P]. 
杜高峰 ;
邱丽丽 .
中国专利 :CN307463867S ,2022-07-22
[6]
功率半导体接触元件 [P]. 
杜高峰 ;
赵军 .
中国专利 :CN305172501S ,2019-05-21
[7]
用于功率半导体模块的外部接触元件和功率半导体模块 [P]. 
A·乌勒曼 ;
C·科赫 .
中国专利 :CN115000038A ,2022-09-02
[8]
接触元件、功率半导体模块及其制造方法 [P]. 
M·格克齐 ;
A·M·维戈 .
中国专利 :CN104966710A ,2015-10-07
[9]
具有功率半导体元件和接触装置的设备 [P]. 
A·施勒特尔 .
中国专利 :CN101114641A ,2008-01-30
[10]
功率半导体接触元件(007) [P]. 
韩波 .
中国专利 :CN307018642S ,2021-12-21