MY(1－x)SiO4∶Ax发光薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510122036.8

申请日：

2005-11-30

公开(公告)号：

CN1325604C

公开(公告)日：

2006-07-12

发明(设计)人：

李岚张晓松王达健

申请人：

申请人地址：

300191天津市南开区红旗南路263号

IPC主分类号：

C09K1179

IPC分类号：

C23C1422

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司

代理人：

廖晓荣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-07-12	公开	公开
2013-01-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101385917612 IPC(主分类):C09K 11/79 专利号:ZL2005101220368 申请日:20051130 授权公告日:20070711 终止日期:20111130
2006-09-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-07-11	授权	授权

共 50 条

[1]

MGd (1－x)SiO4:Ax发光薄膜及其制备方法 [P].

张晓松 ;

李岚 ;

王达健 .

中国专利 :CN1775998A ,2006-05-24

[2]

M2(1－x)B5O9Cl∶A2x发光薄膜及其制备方法 [P].

李岚 ;

张晓松 ;

王达健 .

中国专利 :CN1333041C ,2006-05-24

[3]

ZnS:Zn，Pb发光薄膜及其制备方法 [P].

张晓松 ;

李岚 ;

王达健 .

中国专利 :CN1772841A ,2006-05-17

[4]

Gd3Al5O12:Ce,Dy发光薄膜及其制备方法 [P].

张晓松 ;

李岚 ;

王达健 .

中国专利 :CN1775999A ,2006-05-24

[5]

Sr (1－x)M2S4:Ax量子点及其制备方法 [P].

张晓松 ;

李岚 ;

韩旭 ;

安海萍 .

中国专利 :CN1970684A ,2007-05-30

[6]

M(1－x)Ga2S4:Ax量子点及其制备方法 [P].

张晓松 ;

李岚 ;

韩旭 ;

安海萍 .

中国专利 :CN1962812A ,2007-05-16

[7]

Mn(1－X)S:AX/ZnS核/壳结构量子点及其制备方法 [P].

李岚 ;

张晓松 ;

安海萍 ;

张艳芳 ;

李江勇 .

中国专利 :CN1986731A ,2007-06-27

[8]

Cu(1－X)S:AX/ZnS核/壳结构量子点及其制备方法 [P].

张晓松 ;

李岚 ;

韩旭 ;

明楠 ;

董冬青 .

中国专利 :CN1986730A ,2007-06-27

[9]

Zn(1－X) M2S4∶Ax/ZnS核/壳结构量子点及其制备方法 [P].

张晓松 ;

李岚 ;

韩旭 .

中国专利 :CN1974719A ,2007-06-06

[10]

M(1－X)</SUB> Y2S4∶Ax/ZnS核/壳结构量子点及其制备方法 [P].

李岚 ;

张晓松 ;

安海萍 .

中国专利 :CN1974720A ,2007-06-06

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