M(1－X)</SUB> Y2S4∶Ax/ZnS核/壳结构量子点及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610130073.8

申请日：

2006-12-12

公开(公告)号：

CN1974720A

公开(公告)日：

2007-06-06

发明(设计)人：

李岚张晓松安海萍

申请人：

申请人地址：

300191天津市南开区红旗路263号

IPC主分类号：

C09K1184

IPC分类号：

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司

代理人：

廖晓荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-08-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-06-06	公开	公开
2009-05-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

Zn(1－X) M2S4∶Ax/ZnS核/壳结构量子点及其制备方法 [P].

张晓松 ;

李岚 ;

韩旭 .

中国专利 :CN1974719A ,2007-06-06

[2]

Mn(1－X)S:AX/ZnS核/壳结构量子点及其制备方法 [P].

李岚 ;

张晓松 ;

安海萍 ;

张艳芳 ;

李江勇 .

中国专利 :CN1986731A ,2007-06-27

[3]

Cu(1－X)S:AX/ZnS核/壳结构量子点及其制备方法 [P].

张晓松 ;

李岚 ;

韩旭 ;

明楠 ;

董冬青 .

中国专利 :CN1986730A ,2007-06-27

[4]

MyZn (1－x－y) Y2S4:Ax量子点及其制备方法 [P].

张晓松 ;

李岚 .

中国专利 :CN1986729A ,2007-06-27

[5]

Sr (1－x)M2S4:Ax量子点及其制备方法 [P].

张晓松 ;

李岚 ;

韩旭 ;

安海萍 .

中国专利 :CN1970684A ,2007-05-30

[6]

M(1－x)Ga2S4:Ax量子点及其制备方法 [P].

张晓松 ;

李岚 ;

韩旭 ;

安海萍 .

中国专利 :CN1962812A ,2007-05-16

[7]

SryZn(1－x－y)M2S4∶Ax量子点及其制备方法 [P].

李岚 ;

张晓松 .

中国专利 :CN1995278A ,2007-07-11

[8]

CuGaS-ZnS核壳结构量子点材料及其制备方法 [P].

费广涛 ;

胡泽敏 .

中国专利 :CN107384371B ,2017-11-24

[9]

Cd/Zn/S/Se核壳结构量子点及其制备方法 [P].

丘洁龙 .

中国专利 :CN108795411B ,2018-11-13

[10]

MY(1－x)SiO4∶Ax发光薄膜及其制备方法 [P].

李岚 ;

张晓松 ;

王达健 .

中国专利 :CN1325604C ,2006-07-12

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