半导体器件的制造方法、半导体器件以及配线基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910006987.7

申请日：

2009-02-18

公开(公告)号：

CN101515554A

公开(公告)日：

2009-08-26

发明(设计)人：

堀内章夫宫坂俊次

申请人：

申请人地址：

日本长野县

IPC主分类号：

H01L2158

IPC分类号：

H01L2160 H01L23485 H01L2312

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

顾红霞;彭会

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-07	授权	授权
2010-12-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101021083444 IPC(主分类):H01L 21/58 专利申请号:2009100069877 申请日:20090218
2009-08-26	公开	公开

共 50 条

[1]

配线基板及其制造方法以及半导体器件 [P].

中村顺一 .

中国专利 :CN101222818A ,2008-07-16

[2]

半导体器件、配线基板及其制造方法 [P].

田子雅基 .

中国专利 :CN1957464A ,2007-05-02

[3]

半导体器件、半导体器件的制造方法以及电源器件 [P].

清水浩三 ;

冈本圭史郎 ;

今泉延弘 ;

今田忠纮 ;

渡部庆二 .

中国专利 :CN102646609B ,2012-08-22

[4]

半导体器件及配线基板 [P].

田子雅基 .

中国专利 :CN1957465B ,2007-05-02

[5]

配线基板和半导体器件 [P].

曾田义树 .

中国专利 :CN101009264A ,2007-08-01

[6]

半导体器件制造方法以及半导体器件 [P].

成田博明 .

中国专利 :CN103390604B ,2013-11-13

[7]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

浅村规弘 ;

石野能广 .

中国专利 :CN104425428A ,2015-03-18

[8]

制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

迈克尔·鲍尔 ;

丹尼尔·波尔沃尔 ;

乌尔里希·瓦赫特 .

中国专利 :CN103367174B ,2013-10-23

[9]

制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

金本光一 .

中国专利 :CN104143518A ,2014-11-12

[10]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

闲野义则 .

中国专利 :CN101154601B ,2008-04-02

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