氧化物膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410045815.1

申请日：

2014-02-08

公开(公告)号：

CN103774114B

公开(公告)日：

2014-05-07

发明(设计)人：

王晓峰尹玉华李丽娟霍自强王军喜李晋闽曾一平

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

C23C1644

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-07	公开	公开
2016-01-20	授权	授权
2014-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582694893 IPC(主分类):C23C 16/40 专利申请号:2014100458151 申请日:20140208

共 50 条

[1]

多元氧化物的原子层沉积制备方法、多元氧化物膜及多元氧化物膜制品 [P].

李翔 ;

袁红霞 ;

王娟 .

中国专利 :CN120738625A ,2025-10-03

[2]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105779940A ,2016-07-20

[3]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105734493B ,2016-07-06

[4]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN109065553A ,2018-12-21

[5]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105870196A ,2016-08-17

[6]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN104769150A ,2015-07-08

[7]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

日本专利 :CN109065553B ,2025-07-01

[8]

金属氧化物和非金属氧化物分散体的制备方法 [P].

沃尔夫冈·洛茨 ;

克里斯托夫·巴茨－佐恩 ;

加布里埃莱·佩莱特 ;

维尔纳·威尔 ;

格里特·施奈德 .

中国专利 :CN1771192A ,2006-05-10

[9]

金属氧化物-硅氧化物分层膜 [P].

普尔凯特·阿加瓦尔 ;

刘培基 ;

拉维·库马尔 ;

詹尼弗·利·佩特拉利亚 ;

伊斯瓦·斯里尼瓦桑 ;

巴特·J·范施拉芬迪克 .

美国专利 :CN119968693A ,2025-05-09

[10]

金属氧化物膜的制造方法 [P].

小堀裕之 ;

大川晃次郎 ;

中川博喜 ;

薮内庸介 ;

野村圭介 .

中国专利 :CN101056716B ,2007-10-17

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