一种基于原位生长制备氢氧化镍‑氧化镍薄膜电极的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510810004.0

申请日：

2015-11-20

公开(公告)号：

CN105469901B

公开(公告)日：

2016-04-06

发明(设计)人：

樊玉欠侯爵梁丹阳王慧娟余文婷郭壮闫帅李甄马志鹏刘宇邵光杰

申请人：

申请人地址：

066004 河北省秦皇岛市海港区河北大街西段438号

IPC主分类号：

H01B1300

IPC分类号：

代理机构：

秦皇岛一诚知识产权事务所(普通合伙) 13116

代理人：

续京沙

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-06	公开	公开
2017-08-04	授权	授权
2016-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101658487213 IPC(主分类):H01B 13/00 专利申请号:2015108100040 申请日:20151120

共 50 条

[1]

镍-氢氧化镍复合薄膜电极及制备方法和应用 [P].

陈柯宇 .

中国专利 :CN111943286A ,2020-11-17

[2]

一种氢氧化镍薄膜电极及其制备方法 [P].

张正富 ;

杨伦权 ;

陈庆华 ;

杨晓梅 .

中国专利 :CN102005571B ,2011-04-06

[3]

一种氢氧化镍和氧化镍取向薄膜的制备方法 [P].

萨百晟 ;

边智芸 ;

陈建辉 ;

温翠莲 ;

蔡书畅 .

中国专利 :CN110015700A ,2019-07-16

[4]

一种氢氧化镍/镍电极的制备方法及其应用 [P].

曹黎明 ;

何纯挺 ;

朱轩逸 ;

孙榕智 ;

曹清财 .

中国专利 :CN113005476A ,2021-06-22

[5]

氢氧化镍电极材料 [P].

C·费罗 ;

M·A·费特岑科 ;

S·R·奥夫辛斯基 ;

D·A·科里甘 ;

B·索默斯 .

中国专利 :CN1897335A ,2007-01-17

[6]

一种镍基体/氢氧化镍复合电极的制备方法及应用 [P].

刁鹏 ;

孙珊 .

中国专利 :CN108557960A ,2018-09-21

[7]

氢氧化镍的制备方法 [P].

唐红辉 ;

叶民杰 ;

刘希泉 ;

袁科 .

中国专利 :CN111020187A ,2020-04-17

[8]

制备氢氧化镍的方法 [P].

C·费罗 ;

G·E·贝内特 ;

A·扎伦 ;

T·希克斯 ;

M·A·费琴科 .

中国专利 :CN100457638C ,2007-01-03

[9]

一种硼掺杂氧化镍/氢氧化镍电极材料的制备方法 [P].

张轲 ;

周岩 ;

曹中秋 ;

王艳 .

中国专利 :CN112331491A ,2021-02-05

[10]

氢氧化镍制备系统 [P].

赵聪 ;

何志 ;

刘超 .

中国专利 :CN215667172U ,2022-01-28

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