一种氢氧化镍薄膜电极及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010286111.5

申请日：

2010-09-19

公开(公告)号：

CN102005571B

公开(公告)日：

2011-04-06

发明(设计)人：

张正富杨伦权陈庆华杨晓梅

申请人：

申请人地址：

650093 云南省昆明市五华区学府路253号

IPC主分类号：

H01M448

IPC分类号：

H01M404

代理机构：

昆明正原专利商标代理有限公司 53100

代理人：

金耀生

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-04-06	公开	公开
2012-11-21	授权	授权
2016-11-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101687190630 IPC(主分类):H01M 4/48 专利号:ZL2010102861115 申请日:20100919 授权公告日:20121121 终止日期:20150919
2011-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101072506363 IPC(主分类):H01M 4/48 专利申请号:2010102861115 申请日:20100919

共 50 条

[1]

镍-氢氧化镍复合薄膜电极及制备方法和应用 [P].

陈柯宇 .

中国专利 :CN111943286A ,2020-11-17

[2]

一种氢氧化镍/镍电极的制备方法及其应用 [P].

曹黎明 ;

何纯挺 ;

朱轩逸 ;

孙榕智 ;

曹清财 .

中国专利 :CN113005476A ,2021-06-22

[3]

一种基于原位生长制备氢氧化镍‑氧化镍薄膜电极的方法 [P].

樊玉欠 ;

侯爵 ;

梁丹阳 ;

王慧娟 ;

余文婷 ;

郭壮 ;

闫帅 ;

李甄 ;

马志鹏 ;

刘宇 ;

邵光杰 .

中国专利 :CN105469901B ,2016-04-06

[4]

氢氧化镍的制备方法 [P].

唐红辉 ;

叶民杰 ;

刘希泉 ;

袁科 .

中国专利 :CN111020187A ,2020-04-17

[5]

制备氢氧化镍的方法 [P].

C·费罗 ;

G·E·贝内特 ;

A·扎伦 ;

T·希克斯 ;

M·A·费琴科 .

中国专利 :CN100457638C ,2007-01-03

[6]

氢氧化镍制品及其制备方法 [P].

陆业大 ;

孙宁磊 ;

刘诚 ;

王魁珽 ;

刘国 ;

彭建华 ;

张文 ;

刘金山 .

中国专利 :CN104140130B ,2014-11-12

[7]

一种氢氧化镍膜电极及其制备方法 [P].

王建明 ;

孔德帅 ;

王慧娟 ;

樊玉欠 ;

邵海波 ;

张鉴清 ;

曹楚南 .

中国专利 :CN101710616A ,2010-05-19

[8]

一种氢氧化镍和氧化镍取向薄膜的制备方法 [P].

萨百晟 ;

边智芸 ;

陈建辉 ;

温翠莲 ;

蔡书畅 .

中国专利 :CN110015700A ,2019-07-16

[9]

一种氢氧化镍电极材料的制备方法 [P].

邹雪锋 ;

向斌 ;

郑鹤琳 ;

邓明森 ;

沈虎峻 ;

杨恒修 .

中国专利 :CN114360927B ,2022-04-15

[10]

氢氧化镍及其制备方法 [P].

A·奥尔布里希 ;

J·米西－马克特谢费尔 ;

V·斯托勒 ;

M·厄尔布 ;

S·奥尔布雷克特 ;

G·吉勒 ;

G·迈科夫斯基 ;

F·施鲁姆普夫 ;

J·施莫尔 ;

M·扬 .

中国专利 :CN100339312C ,2006-01-25

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