区熔单晶小头切除装置及提高区熔单晶小头切除效率装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820794000.7

申请日：

2018-05-25

公开(公告)号：

CN208685105U

公开(公告)日：

2019-04-02

发明(设计)人：

李伟凡涂颂昊郝大维边智学刘愿郭宝川王遵义孙晨光王彦君孙健

申请人：

申请人地址：

300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰东路12号内

IPC主分类号：

C30B1300

IPC分类号：

代理机构：

天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211

代理人：

薛萌萌

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-02	授权	授权
2019-12-31	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 13/00 登记生效日:20191212 变更事项:专利权人变更前权利人:天津中环领先材料技术有限公司变更后权利人:中环领先半导体材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰东路12号内变更后权利人:214200 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道变更事项:共同专利权人变更后权利人:天津中环领先材料技术有限公司

共 50 条

[1]

一种区熔单晶小头切除装置及提高切除效率的装置 [P].

李伟凡 ;

涂颂昊 ;

郝大维 ;

边智学 ;

刘愿 ;

郭宝川 ;

王遵义 ;

孙晨光 ;

王彦君 ;

孙健 .

中国专利 :CN108486646A ,2018-09-04

[2]

区熔单晶炉 [P].

傅林坚 ;

欧阳鹏根 ;

王丹涛 ;

陈明杰 ;

石刚 ;

汤承伟 ;

曹建伟 ;

邱敏秀 ;

蒋庆良 .

中国专利 :CN302642324S ,2013-11-13

[3]

区熔单晶硅炉 [P].

张志新 ;

王军 ;

安桂正 .

中国专利 :CN2913390Y ,2007-06-20

[4]

大直径区熔单晶炉 [P].

曹建伟 ;

王丹涛 ;

欧阳鹏根 ;

陈明杰 ;

石刚 ;

汤承伟 ;

傅林坚 ;

邱敏秀 ;

蒋庆良 .

中国专利 :CN302594952S ,2013-10-02

[5]

一种新型区熔单晶保温装置 [P].

万静 ;

王遵义 ;

郝大伟 ;

刘琨 ;

吴磊 ;

李皓 ;

刘承劼 ;

代常雷 .

中国专利 :CN210341119U ,2020-04-17

[6]

一种区熔单晶炉上料装置 [P].

李伟凡 ;

涂颂昊 ;

王遵义 ;

王聚安 .

中国专利 :CN211284615U ,2020-08-18

[7]

一种提高区熔硅单晶熔区热稳定的导流筒 [P].

李伟凡 ;

王遵义 ;

孙健 ;

王彦君 .

中国专利 :CN213327922U ,2021-06-01

[8]

一种晶体夹持装置及区熔单晶炉 [P].

周鹏 ;

张继宏 ;

徐振斌 ;

袁静 .

中国专利 :CN202968737U ,2013-06-05

[9]

区熔单晶硅生长炉 [P].

张志新 ;

王军 ;

安桂正 .

中国专利 :CN2913391Y ,2007-06-20

[10]

一种区熔单晶炉上料装置 [P].

李伟凡 ;

涂颂昊 ;

王遵义 ;

王聚安 ;

王彦君 .

中国专利 :CN110453275A ,2019-11-15

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