一种提高区熔硅单晶熔区热稳定的导流筒

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021311465.6

申请日：

2020-07-07

公开(公告)号：

CN213327922U

公开(公告)日：

2021-06-01

发明(设计)人：

李伟凡王遵义孙健王彦君

申请人：

申请人地址：

214200 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道

IPC主分类号：

C30B1300

IPC分类号：

C30B1500 C30B2906

代理机构：

天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211

代理人：

薛萌萌

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-01	授权	授权

共 50 条

[1]

一种区熔硅单晶的加持结构 [P].

郝大维 ;

张志富 ;

王克旭 ;

李皓 ;

吴峰 ;

楚占斌 ;

王彦君 .

中国专利 :CN211256150U ,2020-08-14

[2]

一种制造区熔硅单晶的直拉区熔气掺法 [P].

李建宏 ;

菅瑞娟 ;

张雪囡 ;

徐强 ;

王刚 ;

汪雨田 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN102534752A ,2012-07-04

[3]

一种制备区熔硅单晶的铸造区熔气掺法 [P].

张雪囡 ;

高树良 ;

王彦君 ;

李建宏 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN102534751A ,2012-07-04

[4]

一种区熔硅单晶的拉制方法 [P].

乔柳 ;

张雪囡 ;

张长旭 ;

孙健 ;

李立伟 ;

王彦君 .

中国专利 :CN103436951A ,2013-12-11

[5]

一种区熔硅单晶的收尾方法 [P].

尚锐刚 ;

王永涛 ;

白杜鹃 ;

刘建涛 ;

崔彬 ;

闫志瑞 ;

高源 ;

李明飞 ;

聂飞 .

中国专利 :CN112941615B ,2021-06-11

[6]

一种优化的区熔硅单晶的预热装置 [P].

刘凯 ;

郝大维 ;

刘愿 ;

赵闯 ;

吴峰 ;

代长雷 ;

孙晨光 ;

王彦君 ;

孙健 .

中国专利 :CN208395311U ,2019-01-18

[7]

大直径区熔硅单晶生产方法 [P].

沈浩平 ;

高树良 ;

刘为钢 ;

高福林 ;

李翔 ;

汪雨田 ;

昝兴立 .

中国专利 :CN1325700C ,2006-11-22

[8]

一种用于改善区熔硅单晶成晶的新型保温筒 [P].

娄中士 ;

涂颂昊 ;

郝大维 ;

杨旭洲 ;

刘琨 ;

刘铮 ;

王彦君 ;

由佰玲 ;

张雪囡 .

中国专利 :CN205035489U ,2016-02-17

[9]

大直径区熔硅单晶制备方法 [P].

沈浩平 ;

刘为钢 ;

高福林 ;

高树良 ;

李翔 ;

汪雨田 .

中国专利 :CN1292101C ,2006-01-25

[10]

一种用于硅单晶制备的区熔线圈 [P].

王遵义 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

刘嘉 ;

孙健 ;

刘铮 ;

涂颂昊 ;

乔柳 ;

冯啸桐 .

中国专利 :CN203049078U ,2013-07-10

← 1 2 3 4 5 →