一种制备区熔硅单晶的铸造区熔气掺法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210059754.5

申请日：

2012-03-08

公开(公告)号：

CN102534751A

公开(公告)日：

2012-07-04

发明(设计)人：

张雪囡高树良王彦君李建宏沈浩平

申请人：

申请人地址：

300384 天津市西青区华苑产业园区环外海泰东路12号

IPC主分类号：

C30B1312

IPC分类号：

C30B1328 C30B2906

代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司 12105

代理人：

莫琪

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101713319416 IPC(主分类):C30B 13/12 专利申请号:2012100597545 申请公布日:20120704
2012-07-04	公开	公开
2012-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101322549340 IPC(主分类):C30B 13/12 专利申请号:2012100597545 申请日:20120308

共 50 条

[1]

一种制造区熔硅单晶的直拉区熔气掺法 [P].

李建宏 ;

菅瑞娟 ;

张雪囡 ;

徐强 ;

王刚 ;

汪雨田 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN102534752A ,2012-07-04

[2]

一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的直拉区熔气掺法 [P].

张雪囡 ;

菅瑞娟 ;

徐强 ;

李建宏 ;

王彦君 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN102534753A ,2012-07-04

[3]

液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法 [P].

李养贤 ;

刘彩池 ;

郝秋艳 ;

黄千驷 .

中国专利 :CN1749448A ,2006-03-22

[4]

生产硅单晶的直拉区熔法 [P].

沈浩平 ;

李翔 ;

汪雨田 ;

昝兴利 .

中国专利 :CN1095505C ,2000-09-27

[5]

一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法 [P].

高树良 ;

张雪囡 ;

王彦君 ;

王岩 ;

王遵义 ;

周卫斌 ;

郝一巍 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN102061514B ,2011-05-18

[6]

一种掺杂区熔硅单晶的制备方法 [P].

刘志伟 ;

闫志瑞 ;

陈海滨 ;

付斌 ;

黄龙辉 ;

李明飞 .

中国专利 :CN103866375A ,2014-06-18

[7]

大直径区熔硅单晶制备方法 [P].

沈浩平 ;

刘为钢 ;

高福林 ;

高树良 ;

李翔 ;

汪雨田 .

中国专利 :CN1292101C ,2006-01-25

[8]

一种气相掺杂区熔硅单晶的制备方法 [P].

王永涛 ;

尚锐刚 ;

刘建涛 ;

李明飞 ;

鲁进军 ;

张建 ;

闫志瑞 .

中国专利 :CN111270300A ,2020-06-12

[9]

一种气相重掺磷区熔硅单晶的生产方法 [P].

高树良 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

周卫斌 ;

王岩 ;

王刚 ;

赵宏波 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN101979719A ,2011-02-23

[10]

一种提高区熔硅单晶熔区热稳定的导流筒 [P].

李伟凡 ;

王遵义 ;

孙健 ;

王彦君 .

中国专利 :CN213327922U ,2021-06-01

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