一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010529157.5

申请日：

2010-11-03

公开(公告)号：

CN102061514B

公开(公告)日：

2011-05-18

发明(设计)人：

高树良张雪囡王彦君王岩王遵义周卫斌郝一巍沈浩平

申请人：

申请人地址：

300384 天津市华苑产业园区(环外)海泰东路12号

IPC主分类号：

C30B1300

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司 12105

代理人：

莫琪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-18	公开	公开
2011-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101088111444 IPC(主分类):C30B 13/00 专利申请号:2010105291575 申请日:20101103
2012-03-28	授权	授权
2019-01-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 13/00 登记生效日:20181213 变更事项:专利权人变更前权利人:天津市环欧半导体材料技术有限公司变更后权利人:天津中环领先材料技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:300384 天津市华苑产业园区(环外)海泰东路12号变更后权利人:300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰东路12号
2020-01-10	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 13/00 登记生效日:20191223 变更事项:专利权人变更前权利人:天津中环领先材料技术有限公司变更后权利人:中环领先半导体材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰东路12号变更后权利人:214200 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道变更事项:共同专利权人变更后权利人:天津中环领先材料技术有限公司

共 50 条

[1]

一种气相重掺磷区熔硅单晶的生产方法 [P].

高树良 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

周卫斌 ;

王岩 ;

王刚 ;

赵宏波 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN101979719A ,2011-02-23

[2]

一种气相掺杂区熔硅单晶的制备方法 [P].

王永涛 ;

尚锐刚 ;

刘建涛 ;

李明飞 ;

鲁进军 ;

张建 ;

闫志瑞 .

中国专利 :CN111270300A ,2020-06-12

[3]

一种制备区熔硅单晶的铸造区熔气掺法 [P].

张雪囡 ;

高树良 ;

王彦君 ;

李建宏 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN102534751A ,2012-07-04

[4]

气相掺杂区熔硅单晶的生产方法 [P].

沈浩平 ;

刘为刚 ;

昝兴利 ;

郭丽华 ;

李颖辉 ;

高树良 .

中国专利 :CN1455028A ,2003-11-12

[5]

气相掺杂区熔硅单晶的生产方法 [P].

沈浩平 ;

刘为钢 ;

高树良 ;

王聚安 ;

昝兴立 ;

李翔 .

中国专利 :CN1865531A ,2006-11-22

[6]

一种制造区熔硅单晶的直拉区熔气掺法 [P].

李建宏 ;

菅瑞娟 ;

张雪囡 ;

徐强 ;

王刚 ;

汪雨田 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN102534752A ,2012-07-04

[7]

气相掺杂区熔硅单晶的生产方法 [P].

刘铮 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

刘嘉 ;

孙健 ;

王遵义 ;

涂颂昊 ;

乔柳 ;

冯啸桐 ;

孙昊 .

中国专利 :CN103114325A ,2013-05-22

[8]

重掺硼硅单晶棒的拉制方法 [P].

沈杨宇 ;

韩建超 ;

陈建纲 ;

刘苏生 .

中国专利 :CN104746138A ,2015-07-01

[9]

一种掺杂区熔硅单晶的制备方法 [P].

刘志伟 ;

闫志瑞 ;

陈海滨 ;

付斌 ;

黄龙辉 ;

李明飞 .

中国专利 :CN103866375A ,2014-06-18

[10]

一种区熔气相掺杂硅单晶的生产方法 [P].

刘铮 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

刘嘉 ;

孙健 ;

王遵义 ;

涂颂昊 ;

乔柳 ;

冯啸桐 ;

孙昊 .

中国专利 :CN103114326A ,2013-05-22

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