一种区熔硅单晶的收尾方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911262992.4

申请日：

2019-12-10

公开(公告)号：

CN112941615B

公开(公告)日：

2021-06-11

发明(设计)人：

尚锐刚王永涛白杜鹃刘建涛崔彬闫志瑞高源李明飞聂飞

申请人：

申请人地址：

101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧

IPC主分类号：

C30B1328

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100

代理人：

刘秀青

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 13/28 申请日:20191210
2021-06-11	公开	公开
2022-05-20	授权	授权
2021-07-13	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C30B 13/28 变更事项:申请人变更前:有研半导体材料有限公司变更后:有研半导体硅材料股份公司变更事项:地址变更前:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧变更后:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧

共 50 条

[1]

区熔硅单晶收尾方法和拉制方法 [P].

袁静 ;

关树军 ;

陈辉 .

中国专利 :CN110318096A ,2019-10-11

[2]

一种优化型大直径区熔硅单晶收尾方法 [P].

刘琨 ;

刘凯 ;

王遵义 ;

郝大维 ;

涂颂昊 ;

孙健 ;

王彦君 .

中国专利 :CN109440183A ,2019-03-08

[3]

一种区熔硅单晶的拉制方法 [P].

乔柳 ;

张雪囡 ;

张长旭 ;

孙健 ;

李立伟 ;

王彦君 .

中国专利 :CN103436951A ,2013-12-11

[4]

一种大直径区熔硅单晶自动收尾方法及系统 [P].

刘凯 ;

王遵义 ;

郝大维 ;

刘琨 ;

涂颂昊 ;

孙健 ;

王彦君 .

中国专利 :CN109487331A ,2019-03-19

[5]

一种区熔硅单晶的放肩方法 [P].

王永涛 ;

尚锐刚 ;

刘建涛 ;

李明飞 .

中国专利 :CN114318498A ,2022-04-12

[6]

气相掺杂区熔硅单晶的生产方法 [P].

沈浩平 ;

刘为刚 ;

昝兴利 ;

郭丽华 ;

李颖辉 ;

高树良 .

中国专利 :CN1455028A ,2003-11-12

[7]

气相掺杂区熔硅单晶的生产方法 [P].

沈浩平 ;

刘为钢 ;

高树良 ;

王聚安 ;

昝兴立 ;

李翔 .

中国专利 :CN1865531A ,2006-11-22

[8]

一种制备<110>区熔硅单晶的方法 [P].

高树良 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

王岩 ;

汪雨田 ;

王聚安 ;

李翔 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN101974779A ,2011-02-16

[9]

一种掺杂区熔硅单晶的制备方法 [P].

刘志伟 ;

闫志瑞 ;

陈海滨 ;

付斌 ;

黄龙辉 ;

李明飞 .

中国专利 :CN103866375A ,2014-06-18

[10]

一种区熔硅单晶自动生长的方法 [P].

王永涛 ;

尚锐刚 ;

刘建涛 ;

李明飞 ;

闫志瑞 .

中国专利 :CN117758351A ,2024-03-26

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