一种区熔硅单晶的放肩方法

被引：0

申请号：

CN202111638491.9

申请日：

2021-12-29

公开(公告)号：

CN114318498A

公开(公告)日：

2022-04-12

发明(设计)人：

王永涛尚锐刚刘建涛李明飞

申请人：

申请人地址：

101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧

IPC主分类号：

C30B1328

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100

代理人：

刘秀青

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-02	授权	授权
2022-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 13/28 申请日:20211229
2022-04-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种区熔硅单晶全自动放肩方法 [P].

尚锐刚 ;

王永涛 ;

刘建涛 ;

李明飞 .

中国专利 :CN117721523A ,2024-03-19

[2]

一种区熔硅单晶的收尾方法 [P].

尚锐刚 ;

王永涛 ;

白杜鹃 ;

刘建涛 ;

崔彬 ;

闫志瑞 ;

高源 ;

李明飞 ;

聂飞 .

中国专利 :CN112941615B ,2021-06-11

[3]

一种掺杂区熔硅单晶的制备方法 [P].

刘志伟 ;

闫志瑞 ;

陈海滨 ;

付斌 ;

黄龙辉 ;

李明飞 .

中国专利 :CN103866375A ,2014-06-18

[4]

一种区熔硅单晶的拉制方法 [P].

乔柳 ;

张雪囡 ;

张长旭 ;

孙健 ;

李立伟 ;

王彦君 .

中国专利 :CN103436951A ,2013-12-11

[5]

一种制备区熔硅单晶的铸造区熔气掺法 [P].

张雪囡 ;

高树良 ;

王彦君 ;

李建宏 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN102534751A ,2012-07-04

[6]

区熔硅单晶收尾方法和拉制方法 [P].

袁静 ;

关树军 ;

陈辉 .

中国专利 :CN110318096A ,2019-10-11

[7]

一种制备<110>区熔硅单晶的方法 [P].

高树良 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

王岩 ;

汪雨田 ;

王聚安 ;

李翔 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN101974779A ,2011-02-16

[8]

一种区熔硅单晶自动生长的方法 [P].

王永涛 ;

尚锐刚 ;

刘建涛 ;

李明飞 ;

闫志瑞 .

中国专利 :CN117758351A ,2024-03-26

[9]

一种区熔硅单晶的加持结构 [P].

郝大维 ;

张志富 ;

王克旭 ;

李皓 ;

吴峰 ;

楚占斌 ;

王彦君 .

中国专利 :CN211256150U ,2020-08-14

[10]

大直径区熔硅单晶生产方法 [P].

沈浩平 ;

高树良 ;

刘为钢 ;

高福林 ;

李翔 ;

汪雨田 ;

昝兴立 .

中国专利 :CN1325700C ,2006-11-22

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