一种制备<110>区熔硅单晶的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010529132.5

申请日：

2010-11-03

公开(公告)号：

CN101974779A

公开(公告)日：

2011-02-16

发明(设计)人：

高树良王彦君张雪囡王岩汪雨田王聚安李翔沈浩平

申请人：

申请人地址：

300384 天津市华苑产业园区(环外)海泰东路12号

IPC主分类号：

C30B1328

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司 12105

代理人：

王凤英

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 13/28 登记生效日:20181212 变更事项:专利权人变更前权利人:天津市环欧半导体材料技术有限公司变更后权利人:天津中环领先材料技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:300384 天津市华苑产业园区(环外)海泰东路12号变更后权利人:300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰东路12号
2019-12-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 13/28 登记生效日:20191209 变更事项:专利权人变更前权利人:天津中环领先材料技术有限公司变更后权利人:中环领先半导体材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰东路12号变更后权利人:214200 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道变更事项:共同专利权人变更后权利人:天津中环领先材料技术有限公司
2011-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101061118361 IPC(主分类):C30B 13/28 专利申请号:2010105291325 申请日:20101103
2011-02-16	公开	公开
2011-07-13	授权	授权

共 50 条

[1]

一种掺杂区熔硅单晶的制备方法 [P].

刘志伟 ;

闫志瑞 ;

陈海滨 ;

付斌 ;

黄龙辉 ;

李明飞 .

中国专利 :CN103866375A ,2014-06-18

[2]

大直径区熔硅单晶制备方法 [P].

沈浩平 ;

刘为钢 ;

高福林 ;

高树良 ;

李翔 ;

汪雨田 .

中国专利 :CN1292101C ,2006-01-25

[3]

一种区熔硅单晶的拉制方法 [P].

乔柳 ;

张雪囡 ;

张长旭 ;

孙健 ;

李立伟 ;

王彦君 .

中国专利 :CN103436951A ,2013-12-11

[4]

一种区熔硅单晶的收尾方法 [P].

尚锐刚 ;

王永涛 ;

白杜鹃 ;

刘建涛 ;

崔彬 ;

闫志瑞 ;

高源 ;

李明飞 ;

聂飞 .

中国专利 :CN112941615B ,2021-06-11

[5]

一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法 [P].

乔柳 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

刘嘉 ;

孙健 ;

王遵义 ;

涂颂昊 ;

刘铮 ;

冯啸桐 ;

孙昊 .

中国专利 :CN103147118B ,2013-06-12

[6]

一种制备区熔硅单晶的铸造区熔气掺法 [P].

张雪囡 ;

高树良 ;

王彦君 ;

李建宏 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN102534751A ,2012-07-04

[7]

一种气相掺杂区熔硅单晶的制备方法 [P].

王永涛 ;

尚锐刚 ;

刘建涛 ;

李明飞 ;

鲁进军 ;

张建 ;

闫志瑞 .

中国专利 :CN111270300A ,2020-06-12

[8]

一种区熔硅单晶的放肩方法 [P].

王永涛 ;

尚锐刚 ;

刘建涛 ;

李明飞 .

中国专利 :CN114318498A ,2022-04-12

[9]

一种区熔硅单晶自动生长的方法 [P].

王永涛 ;

尚锐刚 ;

刘建涛 ;

李明飞 ;

闫志瑞 .

中国专利 :CN117758351A ,2024-03-26

[10]

一种区熔硅单晶的加持结构 [P].

郝大维 ;

张志富 ;

王克旭 ;

李皓 ;

吴峰 ;

楚占斌 ;

王彦君 .

中国专利 :CN211256150U ,2020-08-14

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