一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310057877.X

申请日：

2013-02-25

公开(公告)号：

CN103147118B

公开(公告)日：

2013-06-12

发明(设计)人：

乔柳王彦君张雪囡刘嘉孙健王遵义涂颂昊刘铮冯啸桐孙昊

申请人：

申请人地址：

300384 天津市滨海新区高新区华苑产业园区（环外）海泰东路12号

IPC主分类号：

C30B1328

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211

代理人：

李莉华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-12	公开	公开
2013-07-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101490723961 IPC(主分类):C30B 13/28 专利申请号:201310057877X 申请日:20130225
2016-03-30	授权	授权

共 50 条

[1]

用直拉区熔法制备6英寸P型太阳能硅单晶的方法 [P].

李立伟 ;

王彦君 ;

王岩 ;

张雪囡 ;

高树良 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN102304757A ,2012-01-04

[2]

用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法 [P].

王彦君 ;

张雪囡 ;

王岩 ;

徐强 ;

高树良 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN102534749A ,2012-07-04

[3]

生产硅单晶的直拉区熔法 [P].

沈浩平 ;

李翔 ;

汪雨田 ;

昝兴利 .

中国专利 :CN1095505C ,2000-09-27

[4]

一种制备<110>区熔硅单晶的方法 [P].

高树良 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

王岩 ;

汪雨田 ;

王聚安 ;

李翔 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN101974779A ,2011-02-16

[5]

一种太阳能级直拉硅单晶埚底料清洗方法 [P].

汪贺杏 .

中国专利 :CN102020426A ,2011-04-20

[6]

一种太阳能级硅单晶的制备方法 [P].

施美生 ;

许雪松 ;

马鑫 ;

戴瑞麟 ;

朱海顺 .

中国专利 :CN100424234C ,2007-01-24

[7]

一种制造区熔硅单晶的直拉区熔气掺法 [P].

李建宏 ;

菅瑞娟 ;

张雪囡 ;

徐强 ;

王刚 ;

汪雨田 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN102534752A ,2012-07-04

[8]

一种用于太阳能电池的方形区熔硅单晶生产方法 [P].

张雪囡 ;

王彦君 ;

王岩 ;

高树良 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN102560644A ,2012-07-11

[9]

气相掺杂区熔硅单晶的生产方法 [P].

沈浩平 ;

刘为钢 ;

高树良 ;

王聚安 ;

昝兴立 ;

李翔 .

中国专利 :CN1865531A ,2006-11-22

[10]

直拉硅单晶的收尾方法及直拉硅单晶的制备方法 [P].

王思锋 ;

潘永娥 ;

潘得俊 .

中国专利 :CN106676621B ,2017-05-17

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