一种太阳能级直拉硅单晶埚底料清洗方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010615251.2

申请日：

2010-12-30

公开(公告)号：

CN102020426A

公开(公告)日：

2011-04-20

发明(设计)人：

汪贺杏

申请人：

申请人地址：

201617 上海市松江区长塔路399号

IPC主分类号：

C03C1500

IPC分类号：

代理机构：

上海天翔知识产权代理有限公司 31224

代理人：

陈逸良

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C03C 15/00 申请日:20101230 授权公告日:20120704 终止日期:20181230
2013-07-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101638028547 IPC(主分类):C03C 15/00 专利号:ZL2010106152512 变更事项:专利权人变更前权利人:上海九晶电子材料股份有限公司变更后权利人:九晶(雅安)电子材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:201617 上海市松江区长塔路399号变更后权利人:625100 四川省雅安市工业园区变更事项:专利权人变更前权利人:无变更后权利人:上海九晶电子材料股份有限公司登记生效日:20130703
2011-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101077296200 IPC(主分类):C03C 15/00 专利申请号:2010106152512 申请日:20101230
2012-07-04	授权	授权
2011-04-20	公开	公开

共 50 条

[1]

太阳能级硅单晶生产工艺方法 [P].

倪云达 ;

曲树旺 .

中国专利 :CN1609286A ,2005-04-27

[2]

一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法 [P].

乔柳 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

刘嘉 ;

孙健 ;

王遵义 ;

涂颂昊 ;

刘铮 ;

冯啸桐 ;

孙昊 .

中国专利 :CN103147118B ,2013-06-12

[3]

一种太阳能级硅单晶的制备方法 [P].

施美生 ;

许雪松 ;

马鑫 ;

戴瑞麟 ;

朱海顺 .

中国专利 :CN100424234C ,2007-01-24

[4]

18英寸热场生长Φ8〞太阳能级直拉硅单晶工艺 [P].

谢江帆 ;

吴雪霆 ;

徐杰 ;

张俊 ;

常宏伟 ;

陈军 ;

陈家红 ;

黄建平 .

中国专利 :CN101798704B ,2010-08-11

[5]

太阳能级硅单晶混合掺杂配料方法 [P].

石坚 .

中国专利 :CN101792933B ,2010-08-04

[6]

一种太阳能级硅N型低阻单晶埚底料的应用及制备 [P].

冯婷婷 ;

兰志勇 ;

吴成龙 .

中国专利 :CN120591888A ,2025-09-05

[7]

低成本生长太阳能级硅单晶的装置 [P].

任丙彦 ;

褚世君 .

中国专利 :CN202246991U ,2012-05-30

[8]

一种直拉硅单晶炉 [P].

张利超 .

中国专利 :CN217077845U ,2022-07-29

[9]

一种太阳能单晶硅埚底料的处理方法 [P].

汪培琦 ;

陆伟民 ;

廖长苏 .

中国专利 :CN102351189A ,2012-02-15

[10]

太阳能级CZ硅单晶控制热施主工艺 [P].

石坚 .

中国专利 :CN101994151A ,2011-03-30

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