18英寸热场生长Φ8〞太阳能级直拉硅单晶工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910312899.X

申请日：

2009-12-31

公开(公告)号：

CN101798704B

公开(公告)日：

2010-08-11

发明(设计)人：

谢江帆吴雪霆徐杰张俊常宏伟陈军陈家红黄建平

申请人：

申请人地址：

614200 四川省峨眉山市符北路88号

IPC主分类号：

C30B1500

IPC分类号：

C30B1520

代理机构：

成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214

代理人：

刘明芳;吴彦峰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006240793 IPC(主分类):C30B 15/00 专利申请号:200910312899X 申请日:20091231
2010-08-11	公开	公开
2012-05-23	授权	授权

共 50 条

[1]

直拉八英寸硅单晶热场 [P].

雷世俊 ;

吴雪霆 ;

谢江帆 ;

杨帆 ;

陈军 .

中国专利 :CN202323100U ,2012-07-11

[2]

直拉八英寸硅单晶热场及八英寸硅单晶的生产工艺方法 [P].

雷世俊 ;

吴雪霆 ;

谢江帆 ;

杨帆 ;

陈军 .

中国专利 :CN102367588A ,2012-03-07

[3]

直拉硅单晶热场 [P].

刘彬国 ;

何京辉 ;

曹祥瑞 ;

颜超 .

中国专利 :CN101949057A ,2011-01-19

[4]

直拉硅单晶热场 [P].

陈康 ;

马洋 ;

王军磊 ;

王建平 ;

谷守伟 ;

贾海洋 ;

王永青 ;

梁山 ;

郝勇 .

中国专利 :CN204251760U ,2015-04-08

[5]

一种直拉硅单晶生长的热场 [P].

张志强 ;

黄振飞 ;

黄强 .

中国专利 :CN201626998U ,2010-11-10

[6]

直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置 [P].

施海明 ;

陆景刚 ;

张锦根 ;

鄂林 .

中国专利 :CN201530877U ,2010-07-21

[7]

直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置 [P].

施海明 ;

陆景刚 ;

张锦根 ;

鄂林 .

中国专利 :CN101586251A ,2009-11-25

[8]

用于六英寸及八英寸重掺磷直拉硅单晶制造的上部热场 [P].

田达晰 ;

马向阳 ;

林必清 ;

李晓军 ;

李立本 .

中国专利 :CN1556257A ,2004-12-22

[9]

一种直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置 [P].

王飞 ;

郝俊涛 .

中国专利 :CN201933197U ,2011-08-17

[10]

一种直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置 [P].

王飞 ;

郝俊涛 .

中国专利 :CN102011181B ,2011-04-13

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