一种直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置

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专利类型
发明
申请号
CN201010603178.7
申请日
2010-12-24
公开(公告)号
CN102011181B
公开(公告)日
2011-04-13
发明(设计)人
王飞 郝俊涛
申请人
申请人地址
325000 浙江省苍南县灵溪镇工业园区二期环城北路以南温州神硅电子有限公司
IPC主分类号
C30B1514
IPC分类号
C30B2906
代理机构
北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221
代理人
董琪
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
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共 50 条
[1]
一种直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置 [P]. 
王飞 ;
郝俊涛 .
中国专利 :CN201933197U ,2011-08-17
[2]
直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置 [P]. 
施海明 ;
陆景刚 ;
张锦根 ;
鄂林 .
中国专利 :CN201530877U ,2010-07-21
[3]
直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置 [P]. 
施海明 ;
陆景刚 ;
张锦根 ;
鄂林 .
中国专利 :CN101586251A ,2009-11-25
[4]
一种直拉法生长硅单晶的热场装置 [P]. 
王琳 ;
郝小平 ;
叶慧慧 ;
樊世飞 .
中国专利 :CN218147034U ,2022-12-27
[5]
18英寸热场生长Φ8〞太阳能级直拉硅单晶工艺 [P]. 
谢江帆 ;
吴雪霆 ;
徐杰 ;
张俊 ;
常宏伟 ;
陈军 ;
陈家红 ;
黄建平 .
中国专利 :CN101798704B ,2010-08-11
[6]
一种直拉硅单晶生长的热场 [P]. 
张志强 ;
黄振飞 ;
黄强 .
中国专利 :CN201626998U ,2010-11-10
[7]
直拉法生长掺镓硅单晶的装置 [P]. 
任丙彦 ;
任丽 .
中国专利 :CN201058893Y ,2008-05-14
[8]
一种硅单晶生长的热场 [P]. 
李留臣 ;
冯金生 ;
井锦英 .
中国专利 :CN101525765A ,2009-09-09
[9]
一种硅单晶生长的热场 [P]. 
李留臣 ;
冯金生 ;
井锦英 .
中国专利 :CN201395648Y ,2010-02-03
[10]
一种直拉硅单晶生长的热场结构 [P]. 
李振国 ;
李定武 .
中国专利 :CN201162060Y ,2008-12-10