一种用于太阳能电池的方形区熔硅单晶生产方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210010550.2

申请日：

2012-01-14

公开(公告)号：

CN102560644A

公开(公告)日：

2012-07-11

发明(设计)人：

张雪囡王彦君王岩高树良沈浩平

申请人：

申请人地址：

300384 天津市西青区华苑产业园区（环外）海泰东路12号

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1320 C30B1330

代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司 12105

代理人：

莫琪

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101714728336 IPC(主分类):C30B 29/06 专利申请号:2012100105502 申请公布日:20120711
2012-07-11	公开	公开
2012-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101324728610 IPC(主分类):C30B 29/06 专利申请号:2012100105502 申请日:20120114

共 50 条

[1]

区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的生产方法 [P].

沈浩平 ;

高树良 ;

刘为钢 ;

王聚安 ;

昝兴立 ;

高福林 ;

张焕新 ;

宁燕 ;

赵宏波 ;

李颖辉 ;

牛建军 .

中国专利 :CN1325702C ,2006-11-22

[2]

区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的制备方法 [P].

沈浩平 ;

高树良 ;

刘为钢 ;

王聚安 ;

高福林 ;

张焕新 ;

宁燕 ;

赵宏波 ;

李颖辉 ;

牛建军 .

中国专利 :CN100351435C ,2006-04-26

[3]

太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法及太阳能电池 [P].

大塚宽之 .

中国专利 :CN107109692B ,2017-08-29

[4]

一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法 [P].

乔柳 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

刘嘉 ;

孙健 ;

王遵义 ;

涂颂昊 ;

刘铮 ;

冯啸桐 ;

孙昊 .

中国专利 :CN103147118B ,2013-06-12

[5]

一种制备<110>区熔硅单晶的方法 [P].

高树良 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

王岩 ;

汪雨田 ;

王聚安 ;

李翔 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN101974779A ,2011-02-16

[6]

一种硅单晶及其制备方法、硅片、太阳能电池和组件 [P].

杨志 ;

刘有益 ;

王林 ;

沈浩平 ;

张雪囡 ;

高利强 ;

程立波 ;

钟旭 ;

阿古达木 .

中国专利 :CN114622278B ,2024-04-05

[7]

一种硅单晶及其制备方法、硅片、太阳能电池和组件 [P].

杨志 ;

刘有益 ;

王林 ;

沈浩平 ;

张雪囡 ;

高利强 ;

程立波 ;

钟旭 ;

阿古达木 .

中国专利 :CN114622278A ,2022-06-14

[8]

大直径区熔硅单晶生产方法 [P].

沈浩平 ;

高树良 ;

刘为钢 ;

高福林 ;

李翔 ;

汪雨田 ;

昝兴立 .

中国专利 :CN1325700C ,2006-11-22

[9]

用于生产太阳能电池的方法 [P].

马尔塞洛·里瓦 .

中国专利 :CN101926010A ,2010-12-22

[10]

用于生产太阳能电池的方法 [P].

奈杰尔·安托尼·凯杰 .

中国专利 :CN101523616A ,2009-09-02

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