一种大直径区熔硅单晶自动收尾方法及系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811565919.X

申请日：

2018-12-20

公开(公告)号：

CN109487331A

公开(公告)日：

2019-03-19

发明(设计)人：

刘凯王遵义郝大维刘琨涂颂昊孙健王彦君

申请人：

申请人地址：

300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰东路12号内

IPC主分类号：

C30B1300

IPC分类号：

C30B1328 C30B2906

代理机构：

天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211

代理人：

刘莹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-19	公开	公开
2020-09-22	授权	授权
2022-05-13	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 13/00 登记生效日:20220506 变更事项:专利权人变更前权利人:天津中环领先材料技术有限公司变更后权利人:天津中环领先材料技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰东路12号内变更后权利人:300384 天津市滨海新区华苑产业园区（环外）海泰东路12号变更事项:专利权人变更后权利人:中环领先半导体材料有限公司
2019-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 13/00 申请日:20181220

共 50 条

[1]

一种优化型大直径区熔硅单晶收尾方法 [P].

刘琨 ;

刘凯 ;

王遵义 ;

郝大维 ;

涂颂昊 ;

孙健 ;

王彦君 .

中国专利 :CN109440183A ,2019-03-08

[2]

大直径区熔硅单晶生产方法 [P].

沈浩平 ;

高树良 ;

刘为钢 ;

高福林 ;

李翔 ;

汪雨田 ;

昝兴立 .

中国专利 :CN1325700C ,2006-11-22

[3]

大直径区熔硅单晶制备方法 [P].

沈浩平 ;

刘为钢 ;

高福林 ;

高树良 ;

李翔 ;

汪雨田 .

中国专利 :CN1292101C ,2006-01-25

[4]

一种大直径区熔硅单晶的生长方法 [P].

沈浩平 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

靳立辉 ;

高树良 ;

刘嘉 ;

王遵义 ;

刘铮 ;

赵宏波 ;

刘琨 ;

郝大维 ;

吴峰 ;

楚占斌 .

中国专利 :CN104328482A ,2015-02-04

[5]

一种区熔硅单晶的收尾方法 [P].

尚锐刚 ;

王永涛 ;

白杜鹃 ;

刘建涛 ;

崔彬 ;

闫志瑞 ;

高源 ;

李明飞 ;

聂飞 .

中国专利 :CN112941615B ,2021-06-11

[6]

区熔硅单晶收尾方法和拉制方法 [P].

袁静 ;

关树军 ;

陈辉 .

中国专利 :CN110318096A ,2019-10-11

[7]

一种提高大直径区熔硅单晶生产质量的方法 [P].

杨凯 ;

闫志瑞 .

中国专利 :CN104711664B ,2015-06-17

[8]

一种大直径区熔硅单晶的去应力退火的方法 [P].

王彦君 ;

王刚 ;

张雪囡 ;

乔柳 ;

韩璐 ;

由佰玲 ;

李帅 ;

邬丽丽 .

中国专利 :CN104278328A ,2015-01-14

[9]

一种制备区熔硅单晶的铸造区熔气掺法 [P].

张雪囡 ;

高树良 ;

王彦君 ;

李建宏 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN102534751A ,2012-07-04

[10]

一种区熔硅单晶自动生长的方法 [P].

王永涛 ;

尚锐刚 ;

刘建涛 ;

李明飞 ;

闫志瑞 .

中国专利 :CN117758351A ,2024-03-26

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