一种大直径区熔硅单晶的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410523050.8

申请日：

2014-09-30

公开(公告)号：

CN104328482A

公开(公告)日：

2015-02-04

发明(设计)人：

沈浩平王彦君张雪囡靳立辉高树良刘嘉王遵义刘铮赵宏波刘琨郝大维吴峰楚占斌

申请人：

申请人地址：

300384 天津市滨海新区高新区华苑产业园区（环外）海泰东路12号

IPC主分类号：

C30B1300

IPC分类号：

C30B1328 C30B2906

代理机构：

天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211

代理人：

杨慧玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101600396727 IPC(主分类):C30B 13/00 专利申请号:2014105230508 申请日:20140930
2017-12-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 13/00 申请公布日:20150204
2015-02-04	公开	公开

共 50 条

[1]

大直径区熔硅单晶生产方法 [P].

沈浩平 ;

高树良 ;

刘为钢 ;

高福林 ;

李翔 ;

汪雨田 ;

昝兴立 .

中国专利 :CN1325700C ,2006-11-22

[2]

大直径区熔硅单晶制备方法 [P].

沈浩平 ;

刘为钢 ;

高福林 ;

高树良 ;

李翔 ;

汪雨田 .

中国专利 :CN1292101C ,2006-01-25

[3]

一种优化型大直径区熔硅单晶收尾方法 [P].

刘琨 ;

刘凯 ;

王遵义 ;

郝大维 ;

涂颂昊 ;

孙健 ;

王彦君 .

中国专利 :CN109440183A ,2019-03-08

[4]

一种大直径区熔硅单晶自动收尾方法及系统 [P].

刘凯 ;

王遵义 ;

郝大维 ;

刘琨 ;

涂颂昊 ;

孙健 ;

王彦君 .

中国专利 :CN109487331A ,2019-03-19

[5]

一种提高大直径区熔硅单晶生产质量的方法 [P].

杨凯 ;

闫志瑞 .

中国专利 :CN104711664B ,2015-06-17

[6]

一种大直径半导体硅单晶的生长方法及单晶炉 [P].

代冰 ;

胡碧波 ;

冯帆 .

中国专利 :CN114318499A ,2022-04-12

[7]

一种区熔硅单晶自动生长的方法 [P].

王永涛 ;

尚锐刚 ;

刘建涛 ;

李明飞 ;

闫志瑞 .

中国专利 :CN117758351A ,2024-03-26

[8]

一种大直径区熔硅单晶的去应力退火的方法 [P].

王彦君 ;

王刚 ;

张雪囡 ;

乔柳 ;

韩璐 ;

由佰玲 ;

李帅 ;

邬丽丽 .

中国专利 :CN104278328A ,2015-01-14

[9]

一种硅单晶的生长方法 [P].

高欣 ;

周磊峰 ;

张新峰 .

中国专利 :CN118497882A ,2024-08-16

[10]

一种区熔硅单晶的拉制方法 [P].

乔柳 ;

张雪囡 ;

张长旭 ;

孙健 ;

李立伟 ;

王彦君 .

中国专利 :CN103436951A ,2013-12-11

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