一种用于改善区熔硅单晶成晶的新型保温筒

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520812346.1

申请日：

2015-10-19

公开(公告)号：

CN205035489U

公开(公告)日：

2016-02-17

发明(设计)人：

娄中士涂颂昊郝大维杨旭洲刘琨刘铮王彦君由佰玲张雪囡

申请人：

申请人地址：

300384 天津市滨海新区高新区华苑产业园区（环外）海泰东路12号

IPC主分类号：

C30B1316

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211

代理人：

陈雅洁

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 13/16 登记生效日:20181029 变更事项:专利权人变更前权利人:天津市环欧半导体材料技术有限公司变更后权利人:天津中环领先材料技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:300384 天津市滨海新区高新区华苑产业园区（环外）海泰东路12号变更后权利人:300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰东路12号
2020-01-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 13/16 登记生效日:20200102 变更事项:专利权人变更前权利人:天津中环领先材料技术有限公司变更后权利人:中环领先半导体材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰东路12号变更后权利人:214200 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道变更事项:共同专利权人变更后权利人:天津中环领先材料技术有限公司
2016-02-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种用于改善区熔硅单晶成晶的新型保温筒 [P].

娄中士 ;

涂颂昊 ;

郝大维 ;

杨旭洲 ;

刘琨 ;

刘铮 ;

王彦君 ;

由佰玲 ;

张雪囡 .

中国专利 :CN105154966A ,2015-12-16

[2]

一种提高区熔硅单晶熔区热稳定的导流筒 [P].

李伟凡 ;

王遵义 ;

孙健 ;

王彦君 .

中国专利 :CN213327922U ,2021-06-01

[3]

一种用于硅单晶制备的区熔线圈 [P].

王遵义 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

刘嘉 ;

孙健 ;

刘铮 ;

涂颂昊 ;

乔柳 ;

冯啸桐 .

中国专利 :CN203049078U ,2013-07-10

[4]

一种新型区熔单晶保温装置 [P].

万静 ;

王遵义 ;

郝大伟 ;

刘琨 ;

吴磊 ;

李皓 ;

刘承劼 ;

代常雷 .

中国专利 :CN210341119U ,2020-04-17

[5]

一种区熔硅单晶的加持结构 [P].

郝大维 ;

张志富 ;

王克旭 ;

李皓 ;

吴峰 ;

楚占斌 ;

王彦君 .

中国专利 :CN211256150U ,2020-08-14

[6]

一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈 [P].

张志富 ;

王遵义 ;

刘凯 ;

吴磊 ;

李小龙 ;

陈玉桥 ;

程亚胜 ;

王彦君 .

中国专利 :CN212955435U ,2021-04-13

[7]

一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈 [P].

庞炳远 ;

闫萍 ;

张殿朝 ;

索开南 .

中国专利 :CN201620202U ,2010-11-03

[8]

一种改善区熔硅单晶硅生长的热场 [P].

石海涛 ;

刘铮 ;

涂颂昊 ;

王遵义 ;

刘琨 ;

孙昊 ;

由佰玲 ;

张雪囡 ;

王彦君 .

中国专利 :CN205115663U ,2016-03-30

[9]

一种用于区熔硅单晶炉单晶夹持系统的夹持装置 [P].

孙昊 ;

刘铮 ;

涂颂昊 ;

郝大维 ;

王遵义 ;

刘琨 ;

由佰玲 ;

张雪囡 ;

王彦君 .

中国专利 :CN205035487U ,2016-02-17

[10]

一种区熔硅单晶的放肩方法 [P].

王永涛 ;

尚锐刚 ;

刘建涛 ;

李明飞 .

中国专利 :CN114318498A ,2022-04-12

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