生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310221246.7

申请日：

2013-05-31

公开(公告)号：

CN103296159B

公开(公告)日：

2013-09-11

发明(设计)人：

李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊

申请人：

申请人地址：

510641 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3306

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈文姬

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-16	授权	授权
2013-10-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101529127947 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2013102212467 申请日:20130531
2013-09-11	公开	公开

共 50 条

[1]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN203339206U ,2013-12-11

[2]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱 [P].

李国强 ;

杨美娟 ;

林云昊 ;

李媛 .

中国专利 :CN206225392U ,2017-06-06

[3]

生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN203983322U ,2014-12-03

[4]

生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

温雷 .

中国专利 :CN106505135B ,2017-03-15

[5]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱及其制备方法 [P].

李国强 ;

杨美娟 ;

林云昊 ;

李媛 .

中国专利 :CN106384761A ,2017-02-08

[6]

生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

温雷 .

中国专利 :CN206422090U ,2017-08-18

[7]

生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN104134727A ,2014-11-05

[8]

生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

刘作莲 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204067413U ,2014-12-31

[9]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN203339168U ,2013-12-11

[10]

生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

刘作莲 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN104157754B ,2014-11-19

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