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半导体结构及其形成方法

被引：0
申请号：
CN202110163948.9
申请日：
2021-02-05
公开(公告)号：
CN114883271A
公开(公告)日：
2022-08-09
发明(设计)人：
平尔萱 周震 白卫平 郁梦康 苏星松
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L218242
IPC分类号：
H01L27108
代理机构：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260
代理人：
成丽杰
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-08-26 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8242 申请日:20210205
2022-08-09 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
郭帅 .
中国专利 :CN117690913A ,2024-03-12
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
邹振东 ;
赖云凯 ;
廖志成 ;
李家豪 .
中国专利 :CN118198099A ,2024-06-14
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
丁潇 ;
张浩 ;
左磊 ;
王刚 ;
徐陈林 ;
郝蓓 .
中国专利 :CN117337035A ,2024-01-02
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
胡建城 .
中国专利 :CN114334832B ,2025-01-14
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
吴轶超 ;
金吉松 .
中国专利 :CN119153447A ,2024-12-17
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
胡建城 .
中国专利 :CN114334832A ,2022-04-12
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
李璡一 .
中国专利 :CN113314532A ,2021-08-27
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
刘昂 .
中国专利 :CN112908936A ,2021-06-04
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
华文宇 ;
丁潇 .
中国专利 :CN117042451B ,2024-02-02
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
唐怡 .
中国专利 :CN120076315A ,2025-05-30
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