用PVD和CVD法形成难熔金属覆盖的低阻金属导体线与通路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97119557.9

申请日：

1993-02-24

公开(公告)号：

CN1192040A

公开(公告)日：

1998-09-02

发明(设计)人：

雷吉夫·V·乔西杰罗姆·J·库欧莫霍玛兹雅·M·达拉尔路易斯·L·苏

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

H01L21768 H01L2352

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-03	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101430317650 IPC(主分类):H01L 21/283 专利号:ZL971195579 申请日:19930224 授权公告日:20040519 期满终止日期:20130224
1998-09-02	公开	公开
1998-08-05	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2004-05-19	授权	授权

共 12 条

[1]

用PVD和CVD法形成难熔金属覆盖的低阻金属导体线与通路 [P].

雷吉夫·V·乔西 ;

杰罗姆·J·库欧莫 ;

霍玛兹雅·M·达拉尔 ;

路易斯·L·苏 .

中国专利 :CN1120241A ,1996-04-10

[2]

用PVD和CVD法形成难熔金属覆盖的低阻金属导体线与通路 [P].

雷吉夫·V·乔西 ;

杰罗姆·J·库欧莫 ;

霍玛兹雅·M·达拉尔 ;

路易斯·L·苏 .

中国专利 :CN1076548A ,1993-09-22

[3]

具有难熔金属覆盖的低阻金属导体线路和通路的器件 [P].

雷吉夫·V·乔西 ;

杰罗姆·J·库欧莫 ;

霍玛兹雅·M·达拉尔 ;

路易斯·L·苏 .

中国专利 :CN1192049A ,1998-09-02

[4]

难熔金属覆盖的低阻值金属导线和通道 [P].

威廉·J·科特 ;

佩-英·保罗·李 ;

托马斯·E·桑德威克 ;

伯恩·M·沃尔默 ;

维克托·维诺日耶新 ;

斯图尔特·H·沃尔夫 .

中国专利 :CN1076547A ,1993-09-22

[5]

一种稀有和难熔金属板带材的轧机生产线 [P].

韩晨 ;

熊彪 ;

张欢欢 ;

马爽 ;

孙付涛 ;

高向向 ;

陈曙光 ;

马玉蕊 ;

李冰峰 ;

夏震 ;

王继 ;

张建辉 .

中国专利 :CN211757605U ,2020-10-27

[6]

用可流动介质和振动金属导体建立电流闭路的装置 [P].

托马斯·海西尔 ;

豪格·海西尔 ;

哈拉德·海西尔 .

德国专利 :CN116669867B ,2025-11-25

[7]

用于半导体和微系统技术的、由难熔金属制成的、用于与热辐射源的电热丝进行机械和电接触的布置和方法 [P].

M·肖斯格 .

德国专利 :CN115776924B ,2025-11-28

[8]

一种稀有和难熔金属板带材的轧机生产线及其生产方法 [P].

韩晨 ;

孙付涛 ;

康军伟 ;

何磊 ;

龚燃 ;

罗付华 ;

张玉杰 ;

赵京松 ;

赵景申 ;

施修峰 .

中国专利 :CN110947763A ,2020-04-03

[9]

一种稀有和难熔金属板带材的轧机生产线及其生产方法 [P].

韩晨 ;

孙付涛 ;

康军伟 ;

何磊 ;

龚燃 ;

罗付华 ;

张玉杰 ;

赵京松 ;

赵景申 ;

施修峰 .

中国专利 :CN110947763B ,2025-01-03

[10]

适合于半导体结构中的铜金属化的线接合技术与结构 [P].

塞勒西·奇逖皮迪 ;

塞勒西·M·莫扎特 ;

普拉蒂·K·罗伊 .

中国专利 :CN1310476A ,2001-08-29