难熔金属覆盖的低阻值金属导线和通道

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN93101334.8

申请日：

1993-02-24

公开(公告)号：

CN1076547A

公开(公告)日：

1993-09-22

发明(设计)人：

威廉·J·科特佩-英·保罗·李托马斯·E·桑德威克伯恩·M·沃尔默维克托·维诺日耶新斯图尔特·H·沃尔夫

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L2190 H01L2352

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利代理部

代理人：

姜华

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-03	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101430317907 IPC(主分类):H01L 21/90 专利号:ZL931013348 申请日:19930224 授权公告日:19950208 期满终止日期:20130224
1995-02-08	授权	授权
1993-09-22	公开	公开
1993-09-15	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

用PVD和CVD法形成难熔金属覆盖的低阻金属导体线与通路 [P].

雷吉夫·V·乔西 ;

杰罗姆·J·库欧莫 ;

霍玛兹雅·M·达拉尔 ;

路易斯·L·苏 .

中国专利 :CN1120241A ,1996-04-10

[2]

具有难熔金属覆盖的低阻金属导体线路和通路的器件 [P].

雷吉夫·V·乔西 ;

杰罗姆·J·库欧莫 ;

霍玛兹雅·M·达拉尔 ;

路易斯·L·苏 .

中国专利 :CN1192049A ,1998-09-02

[3]

用PVD和CVD法形成难熔金属覆盖的低阻金属导体线与通路 [P].

雷吉夫·V·乔西 ;

杰罗姆·J·库欧莫 ;

霍玛兹雅·M·达拉尔 ;

路易斯·L·苏 .

中国专利 :CN1192040A ,1998-09-02

[4]

用PVD和CVD法形成难熔金属覆盖的低阻金属导体线与通路 [P].

雷吉夫·V·乔西 ;

杰罗姆·J·库欧莫 ;

霍玛兹雅·M·达拉尔 ;

路易斯·L·苏 .

中国专利 :CN1076548A ,1993-09-22

[5]

用于研磨难熔金属和难熔金属合金的系统和方法 [P].

M.L.哈米顿 .

中国专利 :CN103249527A ,2013-08-14

[6]

一种铸造难熔金属的方法及难熔金属锭 [P].

杨德江 ;

孙岩 .

中国专利 :CN110125344A ,2019-08-16

[7]

一种铸造难熔金属的方法及难熔金属锭 [P].

杨德江 ;

孙岩 .

中国专利 :CN110125344B ,2024-08-23

[8]

难熔金属氧化物的金属热还原 [P].

L·N·舍克特尔 ;

T·B·特里普 ;

L·L·拉宁 ;

A·M·孔伦 ;

H·V·戈德伯格 .

中国专利 :CN1304151C ,2004-08-25

[9]

低斜锥角的金属导线基板 [P].

张东晖 .

中国专利 :CN208455074U ,2019-02-01

[10]

由难熔金属构成的部件 [P].

格哈德·莱希特弗里德 ;

卢卡斯·卡塞勒 ;

雅各布·布劳恩 ;

海因里希·凯斯特勒 .

:CN118201728A ,2024-06-14

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