IGBT用硅单晶片和IGBT用硅单晶片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710084192.9

申请日：

2007-02-17

公开(公告)号：

CN101054721A

公开(公告)日：

2007-10-17

发明(设计)人：

小野敏昭梅野繁杉村涉宝来正隆

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1500 C30B3120 H01L21208

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

孙秀武;李平英

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-04	授权	授权
2007-10-17	公开	公开
2007-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

硅单晶制造方法、硅单晶和晶片 [P].

中居克彦 ;

大久保正道 .

中国专利 :CN103282555A ,2013-09-04

[2]

硅单晶的制造方法和硅晶片 [P].

小野敏昭 ;

杉村涉 ;

宝来正隆 .

中国专利 :CN101160420B ,2008-04-09

[3]

硅单晶片抛光方法 [P].

林涛 ;

邹晓明 ;

周小勇 ;

方正华 ;

陈建纲 .

中国专利 :CN104742003A ,2015-07-01

[4]

硅单晶片抛光设备 [P].

唐玉金 ;

朱世法 ;

杨雪林 ;

李建霜 ;

帅东清 .

中国专利 :CN204382057U ,2015-06-10

[5]

硅单晶片贴带装置 [P].

赵广文 .

中国专利 :CN2199596Y ,1995-05-31

[6]

硅单晶制造方法和硅晶片生产设备 [P].

D.维尔斯特雷腾 .

中国专利 :CN108431306A ,2018-08-21

[7]

硅单晶的生产方法及装置、硅单晶和硅半导体晶片 [P].

维尔弗里德·冯·安蒙 ;

贾尼斯·维尔布利斯 ;

马丁·韦伯 ;

托马斯·韦策尔 ;

赫伯特·施密特 .

中国专利 :CN100374628C ,2004-10-27

[8]

硅试样的碳浓度测定方法、硅单晶锭的制造方法、硅单晶锭和硅晶片 [P].

江里口和隆 ;

佐俣秀一 ;

三次伯知 ;

柾田亚由美 .

中国专利 :CN108886005A ,2018-11-23

[9]

硅单晶片加工新工艺 [P].

唐玉金 ;

朱世法 ;

杨雪林 ;

李建霜 ;

帅东清 .

中国专利 :CN103639879A ,2014-03-19

[10]

硅单晶片的残余应力的测试方法 [P].

徐永平 ;

刘剑 .

中国专利 :CN102435361B ,2012-05-02

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