具有电荷陷捕层的非易失性存储器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710162977.3

申请日：

2007-10-09

公开(公告)号：

CN101170135A

公开(公告)日：

2008-04-30

发明(设计)人：

周文植梁洪善严在哲皮升浩李升龙金容漯

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L29792

IPC分类号：

H01L2951 H01L27115 H01L2712 H01L2128 H01L21336 H01L218247 H01L2184

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

张波;彭久云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-04-30	公开	公开
2012-09-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101449931804 IPC(主分类):H01L 29/792 专利申请号:2007101629773 公开日:20080430
2008-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

具有电荷俘获层的非易失性存储器件及其制造方法 [P].

周文植 ;

皮升浩 ;

金龙洙 .

中国专利 :CN101211987B ,2008-07-02

[2]

具有电荷存储层的非易失性存储器件的编程方法 [P].

金基喆 ;

高光旭 ;

裵金钟 ;

金相秀 ;

林宝丽 .

中国专利 :CN100429725C ,2005-05-25

[3]

具有电荷俘获层的非易失性存储器件 [P].

朴祥珍 ;

车映官 ;

朴永洙 ;

李正贤 ;

崔石镐 .

中国专利 :CN101017853A ,2007-08-15

[4]

电荷俘获型非易失性存储器件及其制造方法 [P].

金光玉 ;

姜惠阑 .

中国专利 :CN101587899A ,2009-11-25

[5]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

金元柱 ;

金锡必 ;

朴允童 .

中国专利 :CN101114653A ,2008-01-30

[6]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

李起洪 ;

洪权 .

中国专利 :CN101771053B ,2010-07-07

[7]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

权永俊 .

中国专利 :CN103904081B ,2014-07-02

[8]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

崔裕真 ;

李呈焕 .

中国专利 :CN113161368A ,2021-07-23

[9]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

李仁惠 .

中国专利 :CN103594473B ,2014-02-19

[10]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

洪韺玉 .

中国专利 :CN102569206A ,2012-07-11

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