具有电荷俘获层的非易失性存储器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710149632.4

申请日：

2007-09-10

公开(公告)号：

CN101211987B

公开(公告)日：

2008-07-02

发明(设计)人：

周文植皮升浩金龙洙

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L29792

IPC分类号：

H01L2951 H01L27115 H01L2128 H01L21336 H01L218247

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

彭久云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-06-02	授权	授权
2014-11-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101588052294 IPC(主分类):H01L 29/792 专利号:ZL2007101496324 申请日:20070910 授权公告日:20100602 终止日期:20130910
2008-07-02	公开	公开

共 50 条

[1]

具有电荷俘获层的非易失性存储器件 [P].

朴祥珍 ;

车映官 ;

朴永洙 ;

李正贤 ;

崔石镐 .

中国专利 :CN101017853A ,2007-08-15

[2]

电荷俘获型非易失性存储器件及其制造方法 [P].

金光玉 ;

姜惠阑 .

中国专利 :CN101587899A ,2009-11-25

[3]

具有电荷陷捕层的非易失性存储器件及其制造方法 [P].

周文植 ;

梁洪善 ;

严在哲 ;

皮升浩 ;

李升龙 ;

金容漯 .

中国专利 :CN101170135A ,2008-04-30

[4]

电荷俘获层的制备方法及非易失性存储器件 [P].

杜雪 ;

刘青松 ;

宋时宇 .

中国专利 :CN119170486A ,2024-12-20

[5]

具有电荷俘获层的非易失性存储器及其制造方法 [P].

朴基善 ;

周文植 ;

金容漯 ;

朴宰颍 ;

李起洪 .

中国专利 :CN101431105A ,2009-05-13

[6]

电荷俘获非易失性存储器件及其制造方法和操作方法 [P].

权永俊 .

中国专利 :CN105895636B ,2016-08-24

[7]

制造具有电荷俘获层的非易失性存储器元件的方法 [P].

周文植 ;

皮升浩 ;

朴基善 ;

赵兴在 ;

金容漯 .

中国专利 :CN101335208B ,2008-12-31

[8]

具有电荷存储层的非易失性存储器件的编程方法 [P].

金基喆 ;

高光旭 ;

裵金钟 ;

金相秀 ;

林宝丽 .

中国专利 :CN100429725C ,2005-05-25

[9]

电荷俘获存储器件的制造方法 [P].

G·魏因 ;

M·克劳泽 ;

J·－U·萨赫泽 ;

J·－M·施利 ;

M·伊斯勒 ;

C·路德维希 ;

J·德佩 ;

S·马希尔 .

中国专利 :CN100390967C ,2006-11-01

[10]

制造非易失性存储器件的方法 [P].

崔元烈 .

中国专利 :CN100511650C ,2007-11-28

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