制造具有电荷俘获层的非易失性存储器元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810091372.4

申请日：

2008-05-08

公开(公告)号：

CN101335208B

公开(公告)日：

2008-12-31

发明(设计)人：

周文植皮升浩朴基善赵兴在金容漯

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L218247

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

彭久云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-07-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101583454137 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2008100913724 申请日:20080508 授权公告日:20120314 终止日期:20130508
2012-03-14	授权	授权
2008-12-31	公开	公开

共 50 条

[1]

具有电荷俘获层的非易失性存储器及其制造方法 [P].

朴基善 ;

周文植 ;

金容漯 ;

朴宰颍 ;

李起洪 .

中国专利 :CN101431105A ,2009-05-13

[2]

具有电荷俘获层的非易失性存储器件及其制造方法 [P].

周文植 ;

皮升浩 ;

金龙洙 .

中国专利 :CN101211987B ,2008-07-02

[3]

具有电荷俘获层的非易失性存储器件 [P].

朴祥珍 ;

车映官 ;

朴永洙 ;

李正贤 ;

崔石镐 .

中国专利 :CN101017853A ,2007-08-15

[4]

电荷俘获型非易失性存储器件及其制造方法 [P].

金光玉 ;

姜惠阑 .

中国专利 :CN101587899A ,2009-11-25

[5]

电荷俘获层的制备方法及非易失性存储器件 [P].

杜雪 ;

刘青松 ;

宋时宇 .

中国专利 :CN119170486A ,2024-12-20

[6]

在沟槽中具有俘获电荷层的非易失性存储器单元和阵列以及其制造方法 [P].

N.杜 .

中国专利 :CN104969358A ,2015-10-07

[7]

具有高k电荷俘获层的存储器单元 [P].

P.拉布金 ;

J.帕查穆图 ;

J.阿尔斯梅尔 ;

东谷政昭 .

中国专利 :CN107408558A ,2017-11-28

[8]

具有单个绝缘层的宽带隙半导体双极电荷俘获非易失性存储器及其制造方法 [P].

陈敬 ;

郑柘炀 ;

陈涛 ;

张力 .

中国专利 :CN115706161A ,2023-02-17

[9]

具有电荷存储层的非易失性存储器件的编程方法 [P].

金基喆 ;

高光旭 ;

裵金钟 ;

金相秀 ;

林宝丽 .

中国专利 :CN100429725C ,2005-05-25

[10]

具有电荷陷捕层的非易失性存储器件及其制造方法 [P].

周文植 ;

梁洪善 ;

严在哲 ;

皮升浩 ;

李升龙 ;

金容漯 .

中国专利 :CN101170135A ,2008-04-30

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