在沟槽中具有俘获电荷层的非易失性存储器单元和阵列以及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480007861.0

申请日：

2014-01-16

公开(公告)号：

CN104969358A

公开(公告)日：

2015-10-07

发明(设计)人：

N.杜

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L29792

IPC分类号：

H01L27115 H01L29423

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

申屠伟进;王传道

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101632844859 IPC(主分类):H01L 29/792 专利申请号:2014800078610 申请日:20140116
2015-10-07	公开	公开
2017-10-17	授权	授权

共 50 条

[1]

具有电荷俘获层的非易失性存储器及其制造方法 [P].

朴基善 ;

周文植 ;

金容漯 ;

朴宰颍 ;

李起洪 .

中国专利 :CN101431105A ,2009-05-13

[2]

制造具有电荷俘获层的非易失性存储器元件的方法 [P].

周文植 ;

皮升浩 ;

朴基善 ;

赵兴在 ;

金容漯 .

中国专利 :CN101335208B ,2008-12-31

[3]

具有电荷俘获层的非易失性存储器件及其制造方法 [P].

周文植 ;

皮升浩 ;

金龙洙 .

中国专利 :CN101211987B ,2008-07-02

[4]

具有电荷俘获层的非易失性存储器件 [P].

朴祥珍 ;

车映官 ;

朴永洙 ;

李正贤 ;

崔石镐 .

中国专利 :CN101017853A ,2007-08-15

[5]

具有高k电荷俘获层的存储器单元 [P].

P.拉布金 ;

J.帕查穆图 ;

J.阿尔斯梅尔 ;

东谷政昭 .

中国专利 :CN107408558A ,2017-11-28

[6]

在专用沟槽中具有浮栅的非易失性存储器单元 [P].

邢精成 ;

刘国勇 ;

X·刘 ;

王春明 ;

刁颖 ;

N·杜 .

中国专利 :CN110021602A ,2019-07-16

[7]

电荷俘获型非易失性存储器件及其制造方法 [P].

金光玉 ;

姜惠阑 .

中国专利 :CN101587899A ,2009-11-25

[8]

非易失性存储器单元、非易失性存储器单元阵列和非易失性存储器单元阵列的信息写入方法 [P].

横山孝司 ;

冈干生 ;

神田泰夫 .

中国专利 :CN114127943A ,2022-03-01

[9]

电荷俘获非易失性存储器件及其制造方法和操作方法 [P].

权永俊 .

中国专利 :CN105895636B ,2016-08-24

[10]

电介质界面中具有电荷俘获的紧凑型非易失性存储器器件 [P].

F·拉罗萨 ;

S·尼埃尔 ;

A·雷尼耶 .

中国专利 :CN108110009B ,2018-06-01

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