重掺单晶硅片先碱腐蚀后酸腐蚀的腐蚀工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010581250.0

申请日：

2010-12-10

公开(公告)号：

CN102021658A

公开(公告)日：

2011-04-20

发明(设计)人：

张俊生罗翀张晋英刘沛然王国瑞

申请人：

申请人地址：

300384 天津市南开区滨海高新技术产业园区（环外）海泰发展一路8号

IPC主分类号：

C30B3310

IPC分类号：

C23F124 C23F140 H01L2102

代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司 12105

代理人：

王凤英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-04-20	公开	公开
2012-04-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101315923235 IPC(主分类):C30B 33/10 专利申请号:2010105812500 公开日:20110420
2011-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101077293129 IPC(主分类):C30B 33/10 专利申请号:2010105812500 申请日:20101210

共 50 条

[1]

重掺单晶硅片先酸腐蚀后碱腐蚀的腐蚀工艺 [P].

罗翀 ;

李翔 ;

吕莹 ;

刘琦 ;

王丹 .

中国专利 :CN102021657A ,2011-04-20

[2]

8英寸轻掺单晶硅片的酸腐蚀工艺 [P].

焦志鹏 ;

罗翀 ;

由佰玲 ;

孙希凯 ;

张宇 .

中国专利 :CN102021659A ,2011-04-20

[3]

一种12英寸轻掺单晶硅片的酸腐蚀方法 [P].

倪云达 ;

葛正芳 ;

钱大丰 .

中国专利 :CN102839426A ,2012-12-26

[4]

一种IGBT用8英寸单晶硅片的酸腐蚀工艺 [P].

罗翀 ;

由佰玲 ;

刘建伟 ;

谭启龙 .

中国专利 :CN102433563A ,2012-05-02

[5]

一种去除单晶硅片酸腐蚀斑痕的方法 [P].

田原 ;

于妍 ;

王云彪 ;

陈亚楠 ;

杨召杰 .

中国专利 :CN106391567A ,2017-02-15

[6]

一种适用于单晶硅片酸腐蚀的新型腐蚀架 [P].

姚剑龙 ;

杨颜礼 ;

满时君 .

中国专利 :CN222734954U ,2025-04-08

[7]

一种适用于超薄单晶硅片酸腐蚀的腐蚀笼 [P].

姚剑龙 ;

宋亚峰 ;

张燕 .

中国专利 :CN223038899U ,2025-06-27

[8]

一种适用于半自动单晶硅片酸腐蚀的新型腐蚀槽 [P].

姚剑龙 .

中国专利 :CN222744445U ,2025-04-11

[9]

一种半导体单晶硅片酸腐蚀驱动装置 [P].

李建刚 ;

王海君 ;

刘建锋 .

中国专利 :CN204857680U ,2015-12-09

[10]

一种带气帘的单晶硅片酸腐蚀机 [P].

姚剑龙 ;

田波峰 ;

董杨 .

中国专利 :CN222637230U ,2025-03-18

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