一种通过光学区熔技术制备SiC/LaB6共晶复合材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710044044.8

申请日：

2017-01-19

公开(公告)号：

CN106882966A

公开(公告)日：

2017-06-23

发明(设计)人：

杨新宇何超张久兴胡可李志

申请人：

申请人地址：

230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号

IPC主分类号：

C04B3558

IPC分类号：

C04B35653

代理机构：

安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101

代理人：

卢敏;何梅生

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101735212873 IPC(主分类):C04B 35/58 专利申请号:2017100440448 申请日:20170119
2020-06-26	授权	授权
2017-06-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种采用放电等离子烧结技术制备SiC/LaB6共晶复合材料的方法 [P].

杨新宇 ;

王翔 ;

张久兴 ;

胡可 ;

李志 .

中国专利 :CN105753481A ,2016-07-13

[2]

一种采用光学区熔技术制备LaB6-VB2共晶复合材料的方法 [P].

杨新宇 ;

王盼 ;

张久兴 ;

胡可 ;

李志 .

中国专利 :CN105755540B ,2016-07-13

[3]

一种快速烧结制备LaB6/ZrB2共晶复合材料的方法 [P].

张久兴 ;

王翔 ;

杨新宇 ;

胡可 ;

李志 .

中国专利 :CN106007727A ,2016-10-12

[4]

一种LaB6-ZrB2共晶复合材料的制备方法 [P].

杨新宇 ;

王翔 ;

张久兴 ;

胡可 ;

李志 .

中国专利 :CN106012011A ,2016-10-12

[5]

一种采用放电等离子烧结技术制备LaB6-VB2共晶复合材料的方法 [P].

张久兴 ;

王盼 ;

杨新宇 ;

胡可 ;

李志 .

中国专利 :CN105837221A ,2016-08-10

[6]

一种LaB6-(Zr,V)B2共晶复合材料的制备方法 [P].

张久兴 ;

王正红 ;

杨新宇 ;

王衍 .

中国专利 :CN109133993B ,2019-01-04

[7]

一种SiC/SiC复合材料的制备方法及其复合材料 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119143505B ,2025-06-13

[8]

一种SiC/SiC复合材料的制备方法及其复合材料 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119143505A ,2024-12-17

[9]

一种SiC/SiC复合材料的制备方法 [P].

陈明伟 ;

张冰玉 .

中国专利 :CN109251050A ,2019-01-22

[10]

一种C/SiC复合材料的制备方法 [P].

辛玲 ;

王大奎 ;

杨宁 ;

武练梅 ;

李君龙 .

中国专利 :CN111302820B ,2020-06-19

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