一种采用放电等离子烧结技术制备SiC/LaB6共晶复合材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610137723.5

申请日：

2016-03-10

公开(公告)号：

CN105753481A

公开(公告)日：

2016-07-13

发明(设计)人：

杨新宇王翔张久兴胡可李志

申请人：

申请人地址：

230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号

IPC主分类号：

C04B3558

IPC分类号：

C04B35645

代理机构：

安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101

代理人：

何梅生;卢敏

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/58 申请公布日:20160713
2016-07-13	公开	公开
2016-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101673498872 IPC(主分类):C04B 35/58 专利申请号:2016101377235 申请日:20160310

共 50 条

[1]

一种采用放电等离子烧结技术制备LaB6-VB2共晶复合材料的方法 [P].

张久兴 ;

王盼 ;

杨新宇 ;

胡可 ;

李志 .

中国专利 :CN105837221A ,2016-08-10

[2]

一种快速烧结制备LaB6/ZrB2共晶复合材料的方法 [P].

张久兴 ;

王翔 ;

杨新宇 ;

胡可 ;

李志 .

中国专利 :CN106007727A ,2016-10-12

[3]

一种通过光学区熔技术制备SiC/LaB6共晶复合材料的方法 [P].

杨新宇 ;

何超 ;

张久兴 ;

胡可 ;

李志 .

中国专利 :CN106882966A ,2017-06-23

[4]

一种LaB6-ZrB2共晶复合材料的制备方法 [P].

杨新宇 ;

王翔 ;

张久兴 ;

胡可 ;

李志 .

中国专利 :CN106012011A ,2016-10-12

[5]

放电等离子烧结氧化铝基共晶陶瓷复合材料的方法 [P].

苏海军 ;

任俊飞 ;

张军 ;

刘林 ;

黄太文 ;

郭敏 ;

傅恒志 .

中国专利 :CN107140960B ,2017-09-08

[6]

一种高致密LaB<sub>6</sub>-Ni复合材料的放电等离子液相烧结制备方法 [P].

王衍 ;

马志高 ;

张久兴 ;

罗时峰 ;

徐健飞 .

中国专利 :CN118910452A ,2024-11-08

[7]

一种采用光学区熔技术制备LaB6-VB2共晶复合材料的方法 [P].

杨新宇 ;

王盼 ;

张久兴 ;

胡可 ;

李志 .

中国专利 :CN105755540B ,2016-07-13

[8]

一种通过放电等离子烧结制备层状复合材料的方法 [P].

武高辉 ;

刘凯 ;

芶华松 ;

杨文澍 .

中国专利 :CN110465670B ,2019-11-19

[9]

一种放电等离子烧结制备大块非晶合金的方法 [P].

赵占奎 ;

孙悦庭 ;

王明罡 ;

李好峰 .

中国专利 :CN105039761A ,2015-11-11

[10]

采用放电等离子烧结制备超高硬度金刚石复合材料的方法 [P].

贺振华 ;

周建 ;

後藤孝 .

中国专利 :CN105753476B ,2016-07-13

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