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半导体引线框架蚀刻产品制造的镀银装置

被引：0
申请号：
CN202210324353.1
申请日：
2022-03-29
公开(公告)号：
CN114717620A
公开(公告)日：
2022-07-08
发明(设计)人：
刘瑞 陈利解 门松明珠 周爱和
申请人：
申请人地址：
215300 江苏省苏州市昆山市玉山镇望山北路399号
IPC主分类号：
C25D518
IPC分类号：
C25D502 C25D700 C25D1700 C25D1710 C25D2112 H01L2148
代理机构：
常州至善至诚专利代理事务所(普通合伙) 32409
代理人：
吴霜
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-07-26 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 5/18 申请日:20220329
2022-07-08 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体引线框架蚀刻产品制造的蚀刻装置 [P]. 
陈利解 ;
门松明珠 ;
周爱和 .
中国专利 :CN114721235A ,2022-07-08
[2]
半导体引线框架蚀刻产品制造的蚀刻装置 [P]. 
陈利解 ;
门松明珠 ;
周爱和 .
中国专利 :CN114721235B ,2024-10-29
[3]
半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置 [P]. 
陈利解 ;
门松明珠 ;
周爱和 .
中国专利 :CN114721234A ,2022-07-08
[4]
半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置 [P]. 
陈利解 ;
门松明珠 ;
周爱和 .
中国专利 :CN114724959B ,2025-12-05
[5]
发明半导体引线框架蚀刻产品制造的脱膜装置 [P]. 
陈利解 ;
门松明珠 ;
周爱和 .
中国专利 :CN114724959A ,2022-07-08
[6]
半导体引线框架蚀刻设备的制造方法 [P]. 
门松明珠 ;
周爱和 .
中国专利 :CN114724958A ,2022-07-08
[7]
引线框架镀银装置 [P]. 
谢艳 ;
孙华 ;
朱贵节 ;
陈忠 ;
黄玉红 ;
吴旺春 .
中国专利 :CN202246937U ,2012-05-30
[8]
半导体引线框架的制造方法 [P]. 
门松明珠 ;
周爱和 .
中国专利 :CN114724958B ,2025-01-17
[9]
引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法 [P]. 
笠原哲一郎 ;
松泽秀树 ;
大串正幸 ;
坂井直也 .
中国专利 :CN107039387B ,2017-08-11
[10]
引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法 [P]. 
出冈淳 ;
林真太郎 ;
泷泽武志 .
日本专利 :CN121149120A ,2025-12-16
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