半导体器件

被引：0

申请号：

CN202221662153.9

申请日：

2022-06-29

公开(公告)号：

CN218123353U

公开(公告)日：

2022-12-23

发明(设计)人：

R·维拉 M·德桑塔

申请人：

申请人地址：

意大利阿格拉布里安扎

IPC主分类号：

H01L2148

IPC分类号：

H01L23495 H01L2160 H01L2150

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

董莘

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-23	授权	授权

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法和对应的半导体器件 [P].

R·维拉 ;

M·德桑塔 .

中国专利 :CN115547841A ,2022-12-30

[2]

半导体器件和包括半导体器件的通信系统 [P].

肱冈健一郎 ;

山口晃一 .

中国专利 :CN203192791U ,2013-09-11

[3]

半导体器件 [P].

平沼和彦 ;

坂田和之 .

中国专利 :CN205428903U ,2016-08-03

[4]

半导体器件 [P].

吉田博 ;

川藤寿 .

中国专利 :CN1467828A ,2004-01-14

[5]

半导体器件 [P].

菊池卓 ;

菊池隆文 .

中国专利 :CN203733786U ,2014-07-23

[6]

半导体器件 [P].

玉置尚哉 .

中国专利 :CN203503650U ,2014-03-26

[7]

半导体器件 [P].

舩津胜彦 ;

佐藤幸弘 ;

金泽孝光 ;

小井土雅宽 ;

田谷博美 .

中国专利 :CN205081110U ,2016-03-09

[8]

半导体器件 [P].

波田野真人 .

中国专利 :CN204243031U ,2015-04-01

[9]

半导体器件 [P].

锦泽笃志 ;

团野忠敏 ;

中村弘幸 ;

相马治 ;

上村圣 .

中国专利 :CN205039149U ,2016-02-17

[10]

半导体器件 [P].

R·蒂齐亚尼 ;

A·贝利齐 .

中国专利 :CN217983268U ,2022-12-06

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