半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520764929.1

申请日：

2015-09-29

公开(公告)号：

CN205039149U

公开(公告)日：

2016-02-17

发明(设计)人：

锦泽笃志团野忠敏中村弘幸相马治上村圣

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2352

IPC分类号：

H01L2349 H01L23492 H01L2160

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

陈伟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/52 申请日:20150929 授权公告日:20160217 终止日期:20200929
2016-02-17	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

舩津胜彦 ;

佐藤幸弘 ;

金泽孝光 ;

小井土雅宽 ;

田谷博美 .

中国专利 :CN205081110U ,2016-03-09

[2]

半导体器件 [P].

锦泽笃志 ;

团野忠敏 ;

中村弘幸 ;

相马治 ;

上村圣 .

中国专利 :CN105470245A ,2016-04-06

[3]

半导体器件 [P].

佐藤幸弘 ;

舩津胜彦 ;

金泽孝光 ;

小井土雅宽 ;

田谷博美 .

中国专利 :CN205039141U ,2016-02-17

[4]

半导体器件 [P].

舩津胜彦 ;

佐藤幸弘 ;

金泽孝光 ;

小井土雅宽 ;

田谷博美 .

中国专利 :CN105470226B ,2016-04-06

[5]

半导体器件 [P].

平沼和彦 ;

坂田和之 .

中国专利 :CN205428903U ,2016-08-03

[6]

半导体器件 [P].

马场伸治 ;

渡边正树 ;

德永宗治 ;

中川和之 .

中国专利 :CN103443915B ,2013-12-11

[7]

半导体器件 [P].

陈兆同 ;

何昌 ;

史波 ;

曾丹 .

中国专利 :CN209199944U ,2019-08-02

[8]

半导体器件 [P].

矢岛明 ;

山田义明 .

中国专利 :CN207068843U ,2018-03-02

[9]

半导体器件 [P].

佐藤幸弘 ;

宇野友彰 .

中国专利 :CN105762145B ,2016-07-13

[10]

半导体器件 [P].

菊池卓 ;

菊池隆文 .

中国专利 :CN203733786U ,2014-07-23

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