半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510634371.X

申请日：

2015-09-29

公开(公告)号：

CN105470245A

公开(公告)日：

2016-04-06

发明(设计)人：

锦泽笃志团野忠敏中村弘幸相马治上村圣

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L25065

IPC分类号：

H01L23495 H01L2198

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

陈伟

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-18	授权	授权
2016-04-06	公开	公开
2017-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101750973206 IPC(主分类):H01L 25/065 专利申请号:201510634371X 申请日:20150929

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

锦泽笃志 ;

团野忠敏 ;

中村弘幸 ;

相马治 ;

上村圣 .

中国专利 :CN205039149U ,2016-02-17

[2]

半导体器件 [P].

舩津胜彦 ;

佐藤幸弘 ;

金泽孝光 ;

小井土雅宽 ;

田谷博美 .

中国专利 :CN105470226B ,2016-04-06

[3]

半导体器件 [P].

马场伸治 ;

渡边正树 ;

德永宗治 ;

中川和之 .

中国专利 :CN103443915B ,2013-12-11

[4]

半导体器件 [P].

佐藤幸弘 ;

宇野友彰 .

中国专利 :CN105762145B ,2016-07-13

[5]

半导体器件 [P].

舩津胜彦 ;

佐藤幸弘 ;

金泽孝光 ;

小井土雅宽 ;

田谷博美 .

中国专利 :CN205081110U ,2016-03-09

[6]

半导体器件 [P].

佐藤幸弘 ;

宇野友彰 .

中国专利 :CN101673729B ,2010-03-17

[7]

半导体器件 [P].

坂田贤治 ;

秋叶俊彦 ;

船矢琢央 ;

土屋秀昭 ;

吉田裕一 .

中国专利 :CN108695264A ,2018-10-23

[8]

半导体器件 [P].

山田直树 .

中国专利 :CN104347563B ,2015-02-11

[9]

半导体器件 [P].

佐藤幸弘 ;

舩津胜彦 ;

金泽孝光 ;

小井土雅宽 ;

田谷博美 .

中国专利 :CN105470248A ,2016-04-06

[10]

半导体器件 [P].

今关洋辅 ;

黑田壮司 .

中国专利 :CN109037184B ,2018-12-18

← 1 2 3 4 5 →