半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910147421.6

申请日：

2009-06-10

公开(公告)号：

CN101673729B

公开(公告)日：

2010-03-17

发明(设计)人：

佐藤幸弘宇野友彰

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2500

IPC分类号：

H01L2348 H01L23482 H02M310

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-17	公开	公开
2013-10-30	授权	授权
2017-12-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 25/00 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都
2011-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101126510901 IPC(主分类):H01L 25/00 专利申请号:2009101474216 申请日:20090610
2010-11-03	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101036991364 IPC(主分类):H01L 25/00 专利申请号:2009101474216 变更事项:申请人变更前权利人:株式会社瑞萨科技变更后权利人:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20100917

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

佐藤幸弘 ;

宇野友彰 .

中国专利 :CN105762145B ,2016-07-13

[2]

半导体器件 [P].

佐藤幸弘 ;

宇野友彰 .

中国专利 :CN103219330B ,2013-07-24

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

団野忠敏 ;

波多俊幸 ;

町田勇一 .

中国专利 :CN103779340A ,2014-05-07

[4]

半导体器件 [P].

舩津胜彦 ;

佐藤幸弘 ;

金泽孝光 ;

小井土雅宽 ;

田谷博美 .

中国专利 :CN105470226B ,2016-04-06

[5]

半导体器件 [P].

马场伸治 ;

渡边正树 ;

德永宗治 ;

中川和之 .

中国专利 :CN103443915B ,2013-12-11

[6]

半导体器件 [P].

福原淳 ;

满田刚 .

中国专利 :CN102045047B ,2011-05-04

[7]

半导体器件 [P].

田平幸德 ;

小池信也 ;

清原俊范 .

中国专利 :CN105470227A ,2016-04-06

[8]

半导体器件 [P].

山越英明 ;

冈保志 ;

冈田大介 .

中国专利 :CN102201415A ,2011-09-28

[9]

半导体器件 [P].

河野诚 ;

尾藤胜利 ;

三田村笃 ;

川野浩平 .

中国专利 :CN101866914A ,2010-10-20

[10]

半导体器件 [P].

长田俊哉 .

中国专利 :CN114664349A ,2022-06-24

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