半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010528706.7
申请日
2010-10-25
公开(公告)号
CN102045047B
公开(公告)日
2011-05-04
发明(设计)人
福原淳 满田刚
申请人
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H03K1708
IPC分类号
H02H300 H02H308 H02H504
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
孙志湧;穆德骏
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
深海郁夫 .
中国专利 :CN110071717A ,2019-07-30
[2]
半导体器件 [P]. 
城越英树 .
中国专利 :CN1779977A ,2006-05-31
[3]
半导体器件 [P]. 
B·W·麦考伊 ;
A·K·哈利 .
中国专利 :CN206698127U ,2017-12-01
[4]
半导体器件 [P]. 
木村肇 .
中国专利 :CN100468501C ,2005-02-16
[5]
半导体器件 [P]. 
姜相列 ;
任基彬 ;
金润洙 ;
林汉镇 .
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[6]
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金成禹 ;
金奉秀 ;
金英培 ;
许基宰 ;
高宽协 ;
洪亨善 ;
黄有商 .
中国专利 :CN109256377A ,2019-01-22
[7]
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河野诚 ;
尾藤胜利 ;
三田村笃 ;
川野浩平 .
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[8]
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安托尼·香西奥 ;
马克·D·格里斯沃尔德 ;
阿穆德哈·R·伊鲁达亚姆 ;
珍妮弗·H·莫里松 .
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[9]
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长田俊哉 .
中国专利 :CN114664349A ,2022-06-24
[10]
半导体器件 [P]. 
北村卓也 ;
佐甲隆 .
中国专利 :CN100378908C ,2005-12-07