半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810769672.7

申请日：

2018-07-13

公开(公告)号：

CN109256377A

公开(公告)日：

2019-01-22

发明(设计)人：

金成禹金奉秀金英培许基宰高宽协洪亨善黄有商

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L27108 H01L4500

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

屈玉华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-22	公开	公开
2020-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20180713

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

福原淳 ;

满田刚 .

中国专利 :CN102045047B ,2011-05-04

[2]

半导体器件 [P].

武田晃一 ;

下井贵裕 .

日本专利 :CN120472956A ,2025-08-12

[3]

半导体器件 [P].

姜相列 ;

任基彬 ;

金润洙 ;

林汉镇 .

中国专利 :CN106972016A ,2017-07-21

[4]

半导体器件 [P].

安托尼·香西奥 ;

马克·D·格里斯沃尔德 ;

阿穆德哈·R·伊鲁达亚姆 ;

珍妮弗·H·莫里松 .

中国专利 :CN101160663B ,2008-04-09

[5]

半导体器件 [P].

北村卓也 ;

佐甲隆 .

中国专利 :CN100378908C ,2005-12-07

[6]

半导体器件 [P].

木村肇 .

中国专利 :CN102176304A ,2011-09-07

[7]

半导体器件 [P].

高桥弘行 .

中国专利 :CN105895145B ,2016-08-24

[8]

半导体器件 [P].

纳光明 ;

安西彩 ;

山崎优 .

中国专利 :CN1573847A ,2005-02-02

[9]

半导体器件 [P].

家田义纪 ;

磯部敦生 ;

盐野入丰 ;

热海知昭 .

中国专利 :CN102760488A ,2012-10-31

[10]

半导体器件 [P].

李泓濬 ;

金根楠 ;

金承默 ;

李基硕 .

韩国专利 :CN118785703A ,2024-10-15

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