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半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510007779.8
申请日：
2025-01-03
公开(公告)号：
CN120472956A
公开(公告)日：
2025-08-12
发明(设计)人：
武田晃一 下井贵裕
申请人：
瑞萨电子株式会社
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
G11C11/02
IPC分类号：
G11C11/40
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
张宁;刘奇
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-08-12 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
田中信二 ;
藪内诚 ;
良田雄太 .
中国专利 :CN107093445A ,2017-08-25
[2]
半导体器件 [P]. 
田中信二 ;
藪内诚 ;
良田雄太 .
中国专利 :CN102655024B ,2012-09-05
[3]
半导体器件 [P]. 
高桥弘行 .
中国专利 :CN105895145B ,2016-08-24
[4]
半导体器件 [P]. 
泽田阳平 ;
薮内诚 ;
石井雄一郎 .
中国专利 :CN107077885A ,2017-08-18
[5]
半导体器件 [P]. 
O·韦伯 ;
K·J·多里 ;
P·库玛 ;
S·J·阿梅德 ;
C·勒科克 ;
P·乌拉尔 .
法国专利 :CN220776394U ,2024-04-12
[6]
半导体器件 [P]. 
小槻一贵 .
中国专利 :CN1213181A ,1999-04-07
[7]
半导体器件 [P]. 
鸟毛裕二 .
中国专利 :CN102460586A ,2012-05-16
[8]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
林士豪 ;
杨智铨 ;
苏信文 ;
林建隆 ;
林建智 .
中国专利 :CN113314536A ,2021-08-27
[9]
半导体器件和半导体器件系统 [P]. 
成田幸辉 .
日本专利 :CN111312705B ,2024-10-25
[10]
半导体器件和半导体器件系统 [P]. 
成田幸辉 .
中国专利 :CN111312705A ,2020-06-19
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