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半导体器件和半导体器件系统
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201911156561.X
申请日
:
2019-11-22
公开(公告)号
:
CN111312705B
公开(公告)日
:
2024-10-25
发明(设计)人
:
成田幸辉
申请人
:
瑞萨电子株式会社
申请人地址
:
日本东京都
IPC主分类号
:
H01L27/02
IPC分类号
:
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
李辉;董典红
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-10-25
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体器件和半导体器件系统
[P].
成田幸辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
成田幸辉
.
中国专利
:CN111312705A
,2020-06-19
[2]
半导体器件和包括半导体器件的半导体系统
[P].
崔永根
论文数:
0
引用数:
0
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0
崔永根
.
中国专利
:CN105321549A
,2016-02-10
[3]
半导体器件和半导体系统
[P].
林雅兰
论文数:
0
引用数:
0
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0
林雅兰
;
宋镐旭
论文数:
0
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0
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0
宋镐旭
.
中国专利
:CN106057231B
,2016-10-26
[4]
半导体器件和半导体器件系统
[P].
长尾圭
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
罗姆股份有限公司
罗姆股份有限公司
长尾圭
.
日本专利
:CN114930268B
,2024-05-17
[5]
半导体器件和半导体器件系统
[P].
长尾圭
论文数:
0
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0
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0
长尾圭
.
中国专利
:CN114930268A
,2022-08-19
[6]
半导体器件和包括半导体器件的半导体系统
[P].
黄正太
论文数:
0
引用数:
0
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0
黄正太
.
中国专利
:CN104103305A
,2014-10-15
[7]
半导体器件和包括半导体器件的半导体系统
[P].
朴正勋
论文数:
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0
朴正勋
.
中国专利
:CN102122234A
,2011-07-13
[8]
半导体器件、半导体系统和半导体器件制造方法
[P].
福冈一树
论文数:
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0
福冈一树
;
植村俊文
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植村俊文
;
北地祐子
论文数:
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0
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0
北地祐子
.
中国专利
:CN109428569A
,2019-03-05
[9]
半导体器件、半导体系统和半导体器件制造方法
[P].
福冈一树
论文数:
0
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
福冈一树
;
植村俊文
论文数:
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
植村俊文
;
北地祐子
论文数:
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
北地祐子
.
日本专利
:CN109428569B
,2024-03-26
[10]
半导体器件和半导体器件的制备方法
[P].
曹堪宇
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0
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机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
曹堪宇
;
杜国安
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机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
杜国安
;
邓放心
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机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
邓放心
;
曹宇
论文数:
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机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
曹宇
.
中国专利
:CN118973260A
,2024-11-15
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