半导体器件和半导体器件系统

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911156561.X
申请日
2019-11-22
公开(公告)号
CN111312705B
公开(公告)日
2024-10-25
发明(设计)人
成田幸辉
申请人
瑞萨电子株式会社
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L27/02
IPC分类号
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
李辉;董典红
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件和半导体器件系统 [P]. 
成田幸辉 .
中国专利 :CN111312705A ,2020-06-19
[2]
半导体器件和包括半导体器件的半导体系统 [P]. 
崔永根 .
中国专利 :CN105321549A ,2016-02-10
[3]
半导体器件和半导体系统 [P]. 
林雅兰 ;
宋镐旭 .
中国专利 :CN106057231B ,2016-10-26
[4]
半导体器件和半导体器件系统 [P]. 
长尾圭 .
日本专利 :CN114930268B ,2024-05-17
[5]
半导体器件和半导体器件系统 [P]. 
长尾圭 .
中国专利 :CN114930268A ,2022-08-19
[6]
半导体器件和包括半导体器件的半导体系统 [P]. 
黄正太 .
中国专利 :CN104103305A ,2014-10-15
[7]
半导体器件和包括半导体器件的半导体系统 [P]. 
朴正勋 .
中国专利 :CN102122234A ,2011-07-13
[8]
半导体器件、半导体系统和半导体器件制造方法 [P]. 
福冈一树 ;
植村俊文 ;
北地祐子 .
中国专利 :CN109428569A ,2019-03-05
[9]
半导体器件、半导体系统和半导体器件制造方法 [P]. 
福冈一树 ;
植村俊文 ;
北地祐子 .
日本专利 :CN109428569B ,2024-03-26
[10]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
曹堪宇 ;
杜国安 ;
邓放心 ;
曹宇 .
中国专利 :CN118973260A ,2024-11-15