半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610868493.X

申请日：

2016-09-29

公开(公告)号：

CN106972016A

公开(公告)日：

2017-07-21

发明(设计)人：

姜相列任基彬金润洙林汉镇

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L2364

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-23	授权	授权
2017-07-21	公开	公开
2018-09-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20160929

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

郑圭镐 ;

李艺瑟 ;

闵淙渶 ;

朴晙晳 ;

白智叡 ;

李真旭 .

韩国专利 :CN119451563A ,2025-02-14

[2]

半导体器件 [P].

安托尼·香西奥 ;

马克·D·格里斯沃尔德 ;

阿穆德哈·R·伊鲁达亚姆 ;

珍妮弗·H·莫里松 .

中国专利 :CN101160663B ,2008-04-09

[3]

半导体器件 [P].

吴周城 .

韩国专利 :CN117529091A ,2024-02-06

[4]

半导体器件 [P].

洪叡珍 ;

崔俊洛 ;

李珍秀 ;

姜政佑 ;

林义郞 .

韩国专利 :CN118317688A ,2024-07-09

[5]

半导体器件 [P].

文孝植 ;

姜相列 ;

金恩善 ;

朴瑛琳 ;

郑圭镐 ;

曹圭镐 .

中国专利 :CN110828428A ,2020-02-21

[6]

半导体器件 [P].

渡边健一 .

中国专利 :CN100495707C ,2007-04-04

[7]

半导体器件 [P].

安世衡 ;

金润洙 ;

崔在亨 ;

蒋在完 ;

文瑄敏 ;

李珍宣 .

中国专利 :CN107464807B ,2017-12-12

[8]

半导体器件 [P].

郭采硕 ;

朴泳冠 ;

崔德欢 .

韩国专利 :CN120239270A ,2025-07-01

[9]

半导体器件 [P].

朴正敏 ;

金志星 ;

金范宗 ;

丁炯硕 .

韩国专利 :CN120035148A ,2025-05-23

[10]

半导体存储器件 [P].

崔贤根 ;

李基硕 ;

郑承宰 ;

慎重赞 ;

安泰炫 ;

郑文泳 ;

韩相然 .

中国专利 :CN114582869A ,2022-06-03

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