半导体器件

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专利类型
发明
申请号
CN200610019886.X
申请日
2006-03-01
公开(公告)号
CN100495707C
公开(公告)日
2007-04-04
发明(设计)人
渡边健一
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2704
IPC分类号
H01L21822
代理机构
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人
王玉双;高龙鑫
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
古桥隆寿 ;
松本雅弘 .
中国专利 :CN105321931A ,2016-02-10
[2]
形成电容器、半导体器件和精细图案的方法和半导体器件 [P]. 
崔允荣 ;
林晟洙 ;
姜秉茂 ;
具省模 ;
朴世真 ;
裵珍宇 .
中国专利 :CN111740012A ,2020-10-02
[3]
形成电容器、半导体器件和精细图案的方法和半导体器件 [P]. 
崔允荣 ;
林晟洙 ;
姜秉茂 ;
具省模 ;
朴世真 ;
裵珍宇 .
韩国专利 :CN111740012B ,2025-08-29
[4]
半导体器件 [P]. 
姜相列 ;
任基彬 ;
金润洙 ;
林汉镇 .
中国专利 :CN106972016A ,2017-07-21
[5]
半导体器件 [P]. 
郑圭镐 ;
李艺瑟 ;
闵淙渶 ;
朴晙晳 ;
白智叡 ;
李真旭 .
韩国专利 :CN119451563A ,2025-02-14
[6]
半导体器件 [P]. 
大芦敏行 .
中国专利 :CN1471171A ,2004-01-28
[7]
半导体器件 [P]. 
植木诚 ;
竹内洁 ;
长谷卓 .
中国专利 :CN104952835A ,2015-09-30
[8]
半导体器件 [P]. 
安世衡 ;
金润洙 ;
崔在亨 ;
蒋在完 ;
文瑄敏 ;
李珍宣 .
中国专利 :CN107464807B ,2017-12-12
[9]
半导体器件 [P]. 
川井健治 .
中国专利 :CN1499640A ,2004-05-26
[10]
半导体器件 [P]. 
水岛宏明 .
中国专利 :CN101673745A ,2010-03-17