半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201510300351.9
申请日
2015-06-03
公开(公告)号
CN105321931A
公开(公告)日
2016-02-10
发明(设计)人
古桥隆寿 松本雅弘
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L23538
IPC分类号
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
李兰;孙志湧
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造工艺 [P]. 
东野智彦 ;
胜木信幸 ;
川胜康弘 ;
小林道弘 .
中国专利 :CN101266973B ,2008-09-17
[2]
形成电容器、半导体器件和精细图案的方法和半导体器件 [P]. 
崔允荣 ;
林晟洙 ;
姜秉茂 ;
具省模 ;
朴世真 ;
裵珍宇 .
中国专利 :CN111740012A ,2020-10-02
[3]
形成电容器、半导体器件和精细图案的方法和半导体器件 [P]. 
崔允荣 ;
林晟洙 ;
姜秉茂 ;
具省模 ;
朴世真 ;
裵珍宇 .
韩国专利 :CN111740012B ,2025-08-29
[4]
半导体器件 [P]. 
大窪宏明 ;
小田典明 ;
中柴康隆 .
中国专利 :CN1763954A ,2006-04-26
[5]
半导体器件 [P]. 
川原润 ;
林喜宏 ;
久米一平 .
中国专利 :CN101740573A ,2010-06-16
[6]
半导体器件 [P]. 
吉永亲史 .
中国专利 :CN100454541C ,2007-08-08
[7]
半导体器件 [P]. 
渡边健一 .
中国专利 :CN100495707C ,2007-04-04
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
永井孝一 ;
菊池秀明 ;
佐次田直也 ;
尾崎康孝 .
中国专利 :CN100431155C ,2006-01-04
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
置田阳一 ;
伊藤英树 ;
王文生 .
中国专利 :CN105810686A ,2016-07-27
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
永井孝一 ;
菊池秀明 ;
佐次田直也 ;
尾崎康孝 .
中国专利 :CN101299429A ,2008-11-05