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半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311836563.X
申请日：
2023-12-28
公开(公告)号：
CN118317688A
公开(公告)日：
2024-07-09
发明(设计)人：
洪叡珍 崔俊洛 李珍秀 姜政佑 林义郞
申请人：
三星电子株式会社
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H10N97/00
IPC分类号：
H10B12/00
代理机构：
北京市立方律师事务所 11330
代理人：
李娜;邓思思
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-19 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10N 97/00申请日:20231228
2024-07-09 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
姜相列 ;
任基彬 ;
金润洙 ;
林汉镇 .
中国专利 :CN106972016A ,2017-07-21
[2]
半导体器件 [P]. 
吴周城 .
韩国专利 :CN117529091A ,2024-02-06
[3]
半导体器件 [P]. 
郑圭镐 ;
李艺瑟 ;
闵淙渶 ;
朴晙晳 ;
白智叡 ;
李真旭 .
韩国专利 :CN119451563A ,2025-02-14
[4]
半导体器件 [P]. 
文孝植 ;
姜相列 ;
金恩善 ;
朴瑛琳 ;
郑圭镐 ;
曹圭镐 .
中国专利 :CN110828428A ,2020-02-21
[5]
半导体器件 [P]. 
朴正敏 ;
金志星 ;
金范宗 ;
丁炯硕 .
韩国专利 :CN120035148A ,2025-05-23
[6]
半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P]. 
姜埈求 ;
姜相列 ;
金润洙 ;
李珍秀 ;
丁炯硕 ;
曹圭镐 .
中国专利 :CN110504219A ,2019-11-26
[7]
半导体器件 [P]. 
渡边健一 .
中国专利 :CN100495707C ,2007-04-04
[8]
半导体器件 [P]. 
安世衡 ;
金润洙 ;
崔在亨 ;
蒋在完 ;
文瑄敏 ;
李珍宣 .
中国专利 :CN107464807B ,2017-12-12
[9]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
朴瑛琳 ;
安世衡 ;
姜相列 ;
安敞茂 ;
郑圭镐 .
中国专利 :CN112103290A ,2020-12-18
[10]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
朴瑛琳 ;
安世衡 ;
姜相列 ;
安敞茂 ;
郑圭镐 .
韩国专利 :CN112103290B ,2025-12-23
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